σχολη εφαρμοσμένων μαθηματικων και φυσικων ... - DSpace

προκύπτει ένας μέσος όρος για τα μεγέθη των νάνο-κρυσταλλίτων από όλο το
πάχος της στρώσης του μcSi και όχι από τα επιφανειακά στρώματα. Μπορούμε
παρ’ όλα αυτά να συμπεράνουμε από την παραπάνω ανάλυση ότι στα πρώτα
στάδια της ανάπτυξης του μcSi, η κρυσταλλικότητα αυξάνει με μεγαλύτερο ρυθμό
απ’ ότι στα τελευταία με μία προτίμηση προς την κρυσταλλογραφική διεύθυνση
αρχικά [220] και στη συνέχεια [111]. Τα μέσα μεγέθη που προκύπτουν, για όλη
την στρώση του μcSi, κυμαίνονται γύρω στα 9 με 11nm με σχήματα σχεδόν
σφαιρικά.
Στη συνέχεια θα παρουσιάσουμε τον χαρακτηρισμό των δειγμάτων μέσω φασματοσκοπίας
Raman, όπου με τη χρήση διάταξης micro-Raman και δέσμης μήκους
κύματος στο πράσινο (514,5nm) με μικρό βάθος διείσδυσης, έχουμε την δυνατότητα
να μελετήσουμε πολύ μικρές περιοχές των δειγμάτων μας και σε μικρά
βάθη. Μπορούμε συνεπώς να παρακολουθήσουμε πιο λεπτομερώς την σταδιακή
ανάπτυξη της στρώσης του μcSi.
58