σχολη εφαρμοσμένων μαθηματικων και φυσικων ... - DSpace

More documents

Recommendations

Info

εναπόθεσης καθώς και τα δομικά χαρακτηριστικά της στρώσης. Με την παρουσία πλάσματος, απαλλάσσεται εν μέρει η διαδικασία από αυτήν την εξάρτηση και δίνεται η δυνατότητα ποιοτικής και γρήγορης εναπόθεσης σε χαμηλές θερμοκρασίες της τάξης των 200 – 350 ο C. Ολική πίεση: Η πίεση μέσα στο θάλαμο ρυθμίζει την ταχύτητα με την οποία μεταφέρονται τα εναποτιθέμενα υλικά στα δείγματα. Όσο πιο μεγάλη τόσο πιο δύσκολή η μεταφορά τους. Για το λόγο αυτό η εναπόθεση γίνεται σε χαμηλές πιέσεις στην περιοχή των 0.5 με 12 mbar. Η πίεση ρυθμίζεται από τον ρυθμό άντλησης του κενού καθώς και από την παροχή των αερίων μέσα στον θάλαμο. Συγκέντρωση Σιλάνης (Silane Concentration, SC): Δίνεται σε ποσοστό ως προς την συνολική συγκέντρωση αερίων μέσα στον θάλαμο: SC=SiH 4 /(SiH 4 +H 2 ). Αυτή η παράμετρος παίζει τον βασικότερο ρόλο στον έ- λεγχο της δομής της εναποτιθέμενης στρώσης [17]. Σε υψηλές τιμές της SC οδηγούμαστε σε άμορφο υλικό, ενώ σε χαμηλές παίρνουμε πολυκρυσταλλικό υλικό (Εικ. 9). Η περιοχή τιμών όπου το εναποτιθέμενο υλικό βρίσκεται στη μετάβαση μεταξύ αμόρφου και πολυκρυσταλλικού είναι μεταξύ του 5% με 8% και η δημιουργία των n και p περιοχών γίνεται με τα αντίστοιχα αέρια να βρίσκονται σε ποσοστά από 0.01% μέχρι 1% στο αέριο μείγμα. Ισχύς του RF πεδίου διέγερσης του πλάσματος: Με αυτή την παράμετρο ρυθμίζουμε την ενέργεια την οποία θα αποκτούν σε κάθε κύκλο τα ιόντα του πλάσματος και τα ελεύθερα ηλεκτρόνια. Μπορούμε και από εδώ να ελέγξουμε την μορφολογική μετάβαση από άμορφο aSi:H σε μcSi:H. Ωστόσο, όπως είδη αναφέραμε, οι μεγάλες ενέργειες συνεπάγονται ισχυρό ιοντικό βομβαρδισμό και υποβάθμιση του υλικού. Έτσι, οι τιμές που χρησιμοποιούνται είναι μεταξύ των 50 με 300 mW/cm 2 . Επιλέγοντας λοιπόν τις κατάλληλες τιμές για τις παραμέτρους της εναπόθεσης φτάνουμε στο επιθυμητό αποτέλεσμα της micromorph δομής. 2.2.2 Χημική Εναπόθεση ZnO από ατμούς σε περιβάλλον χαμηλής πίεσης (LPCVD) Σημαντικό ρόλο στην τελική ποιότητα του φωτοβολταϊκού παίζει και η στρώση του TCO, το οποίο εναποτίθεται με Χημική εναπόθεση από ατμούς σε περιβάλλον χαμηλής πίεσης (LPCVD). Το ZnO:B εκτός από την πολύ καλή διαπερατότητα στο φως και την καλή ηλεκτρική αγωγιμότητα που παρουσιάζει, η μορφολογία της επιφάνειας που σχηματίζει, παρουσιάζει πολύ ικανοποιητική σκεδαστική ικανότητα. Το γεγονός αυτό αυξάνει την διαδρομή του φωτός μέσα στην ενεργό περιοχή του φωτοβολταϊκού, κάτι που με τη σειρά του αυξάνει την πιθανότητα α- πορρόφησης στη κυψέλη. Αυτή η ιδιότητα είναι πολύ χρήσιμη στην τεχνολογία micromorph, γιατί επιτρέπει την χρήση λεπτών υμενίων, αποφεύγοντας φαινόμενα υποβάθμισης του aSi (Staebler – Wronski effect) [18], τα οποία αρχίζουν να 18
εμφανίζονται με την αύξηση του πάχους του αμόρφου, ενώ ταυτόχρονα αποφεύγετε ο μεγάλος χρόνος εναπόθεσης που οδηγεί σε οικονομικά ασύμφορες διαδικασίες (κυρίως στη περίπτωση του μcSi). Η σκεδαστική ικανότητα συνδέεται με την τραχύτητα της επιφάνειας του TCO. Η τεχνική της LPCVD παρέχει τη δυνατότητα γρήγορης και οικονομικής εναπόθεσης της στρώσης του TCO εξασφαλίζοντας ταυτόχρονα και την επιθυμητή μορφολογία για την ιδιαίτερη χρήση του στην Micromorph κυψελίδα. Εικόνα 10: (a) Σχηματική απεικόνιση μίας διάταξης για LPCVD [19]. (b) Αριστερά: Η εξάρτηση της διαπερατότητας από το πάχος του υμενίου. Δεξιά: Εικόνες SEM διαφορετικού πάχους ZnO:B και ίδιας νόθευσης [20]. (c) Αριστερά: Η εξάρτηση της διαπερατότητας από το ποσοστό ντοπαρίσματος με Βόριο. Δεξιά: Εικόνες SEM υμενίων διαφορετικής νόθευσης και ίδιου πάχους [20]. Στην τεχνική εναπόθεσης από ατμούς τα στάδια της εναπόθεσης είναι τρία. Πρώτον εισάγονται τα αέρια μέσα στον θάλαμο. Στη συνέχεια ακολουθεί η μετα- 19
Page 1: ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟ
Page 4 and 5: ...................................
Page 6 and 7: Abstract In this master thesis are
Page 8 and 9: 4.1.2. Δείγματα με αυξ
Page 10 and 11: μοποιούν απευθείας
Page 12 and 13: νουσες οπές στην ΖΣ
Page 14 and 15: σχετίζεται με το πο
Page 16 and 17: 1.4. Το περίγραμμα τη
Page 18 and 19: Παρόλο που οι δύο ε
Page 20 and 21: ηλεκτρονική μεταφο
Page 22 and 23: σικό ρόλος που παίζ
Page 24 and 25: των 800nm της στρώσης
Page 28 and 29: φορά τους στην επιφ
Page 30 and 31: φαρμογές φωτοβολτα
Page 32 and 33: Οι θερμοκρασιακές
Page 34 and 35: ρουμε τις βασικές π
Page 36 and 37: H πυκνότητα ενέργει
Page 38 and 39: Κεφάλαιο 3: Φασματο
Page 40 and 41: a a a Q sin( t) ... a sin( t) ... 0
Page 42 and 43: ενέργειας του αδια
Page 44 and 45: Από την σχέση (19) πρ
Page 46 and 47: ρυφής (Full Width at Half Maxi
Page 48 and 49: Για την απλοποίηση
Page 50 and 51: Εικόνα 18: (a) Σύγκρισ
Page 52 and 53: Στην ολοκληρωμένη
Page 54 and 55: 4.1.2. Δείγματα με αυξ
Page 56 and 57: Το γεγονός αυτό έστ
Page 58 and 59: Εικόνα 22: Εικόνες SEM
Page 60 and 61: τις εντάσεις στις ο
Page 62 and 63: Παρατηρούμε ότι οι
Page 64 and 65: να αναλύσουμε με με
Page 66 and 67: προκύπτει ένας μέσ
Page 68 and 69: 4.3.1. Επιλογή βέλτισ
Page 70 and 71: 480cm -1 για το αSi και μ
Page 72 and 73: Παρακινούμενοι λοι
Page 74 and 75: 4.3.2. Μελέτη βασικών
Page 76 and 77:
4.3.2.2. Διαδοχικά στρ
Page 78 and 79:
τερα προσεκτικοί γ
Page 80 and 81:
από το μήκος κύματο
Page 82 and 83:
Η ζώνη του ncSi με την
Page 84 and 85:
Εξάρτηση από την ισ
Page 86 and 87:
Εξάρτηση από την ισ
Page 88 and 89:
Από την μέχρι τώρα
Page 90 and 91:
Ένας σφαιρικός φακ
Page 92 and 93:
στο οποίο διαθέτου
Page 94 and 95:
κληρωμένης δομής (Ε
Page 96 and 97:
Εδώ τα φάσματα κατα
Page 98 and 99:
κρυσταλλικού πυριτ
Page 100 and 101:
φαιρέσουμε από την
Page 102 and 103:
παρατηρήσεις (Εικ. 5
Page 104 and 105:
Σε αυτή τη κατηγορί
Page 106 and 107:
Μεταξύ των δύο μηκώ
Page 108 and 109:
Στην Εικ. 54 απεικον
Page 110 and 111:
Σειρά μετρήσεων με
Page 112 and 113:
4.3.4. Πειράματα Laser α
Page 114 and 115:
N G w Z (34) j ij i i 1 Με βάσ
Page 116 and 117:
Τα ποσοστά των τριώ
Page 118 and 119:
Στη περίπτωση των 30
Page 120 and 121:
Δείγμα της 3 ης κατη
Page 122 and 123:
Ο αριθμός των παλμώ
Page 124 and 125:
οχή σε μεγαλύτερη μ
Page 126 and 127:
Εικόνα 69: Εικόνες τ
Page 128 and 129:
Η μείωση της πυκνότ
Page 130 and 131:
Για τον δομικό χαρα
Page 132 and 133:
Παράρτημα Α: Χαρακτ
Page 134 and 135:
Crystallographic parameters Crystal
Page 136 and 137:
Παράρτημα Β: Διάταξ
Page 138 and 139:
Παράρτημα Γ: Επαναλ
Page 140 and 141:
2 η Επανάληψη Εικόν
Page 142 and 143:
Παράρτημα Δ: Βασικά
Page 144 and 145:
1 ( x, y) ( zi z j) 2 N( x, y) ( i,
Page 146 and 147:
[19] S.N.R. Kazmi, A.Y. Kovalgin, A
show all

σχολη εφαρμοσμένων μαθηματικων και φυσικων ... - DSpace

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?