σχολη εφαρμοσμένων μαθηματικων και φυσικων ... - DSpace
σχολη εφαρμοσμένων μαθηματικων και φυσικων ... - DSpace
σχολη εφαρμοσμένων μαθηματικων και φυσικων ... - DSpace
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
εναπόθεσης καθώς <strong>και</strong> τα δομικά χαρακτηριστικά της στρώσης. Με την παρουσία<br />
πλάσματος, απαλλάσσεται εν μέρει η διαδικασία από αυτήν την εξάρτηση<br />
<strong>και</strong> δίνεται η δυνατότητα ποιοτικής <strong>και</strong> γρήγορης εναπόθεσης σε χαμηλές<br />
θερμοκρασίες της τάξης των 200 – 350 ο C.<br />
Ολική πίεση: Η πίεση μέσα στο θάλαμο ρυθμίζει την ταχύτητα με την οποία<br />
μεταφέρονται τα εναποτιθέμενα υλικά στα δείγματα. Όσο πιο μεγάλη τόσο<br />
πιο δύσκολή η μεταφορά τους. Για το λόγο αυτό η εναπόθεση γίνεται σε χαμηλές<br />
πιέσεις στην περιοχή των 0.5 με 12 mbar. Η πίεση ρυθμίζεται από τον<br />
ρυθμό άντλησης του κενού καθώς <strong>και</strong> από την παροχή των αερίων μέσα<br />
στον θάλαμο.<br />
Συγκέντρωση Σιλάνης (Silane Concentration, SC): Δίνεται σε ποσοστό ως<br />
προς την συνολική συγκέντρωση αερίων μέσα στον θάλαμο:<br />
SC=SiH 4 /(SiH 4 +H 2 ). Αυτή η παράμετρος παίζει τον βασικότερο ρόλο στον έ-<br />
λεγχο της δομής της εναποτιθέμενης στρώσης [17]. Σε υψηλές τιμές της SC<br />
οδηγούμαστε σε άμορφο υλικό, ενώ σε χαμηλές παίρνουμε πολυκρυσταλλικό<br />
υλικό (Εικ. 9). Η περιοχή τιμών όπου το εναποτιθέμενο υλικό βρίσκεται στη<br />
μετάβαση μεταξύ αμόρφου <strong>και</strong> πολυκρυσταλλικού είναι μεταξύ του 5% με 8%<br />
<strong>και</strong> η δημιουργία των n <strong>και</strong> p περιοχών γίνεται με τα αντίστοιχα αέρια να βρίσκονται<br />
σε ποσοστά από 0.01% μέχρι 1% στο αέριο μείγμα.<br />
Ισχύς του RF πεδίου διέγερσης του πλάσματος: Με αυτή την παράμετρο<br />
ρυθμίζουμε την ενέργεια την οποία θα αποκτούν σε κάθε κύκλο τα ιόντα του<br />
πλάσματος <strong>και</strong> τα ελεύθερα ηλεκτρόνια. Μπορούμε <strong>και</strong> από εδώ να ελέγξουμε<br />
την μορφολογική μετάβαση από άμορφο aSi:H σε μcSi:H. Ωστόσο, όπως<br />
είδη αναφέραμε, οι μεγάλες ενέργειες συνεπάγονται ισχυρό ιοντικό βομβαρδισμό<br />
<strong>και</strong> υποβάθμιση του υλικού. Έτσι, οι τιμές που χρησιμοποιούνται είναι<br />
μεταξύ των 50 με 300 mW/cm 2 .<br />
Επιλέγοντας λοιπόν τις κατάλληλες τιμές για τις παραμέτρους της εναπόθεσης<br />
φτάνουμε στο επιθυμητό αποτέλεσμα της micromorph δομής.<br />
2.2.2 Χημική Εναπόθεση ZnO από ατμούς σε περιβάλλον χαμηλής πίεσης<br />
(LPCVD)<br />
Σημαντικό ρόλο στην τελική ποιότητα του φωτοβολταϊκού παίζει <strong>και</strong> η στρώση<br />
του TCO, το οποίο εναποτίθεται με Χημική εναπόθεση από ατμούς σε περιβάλλον<br />
χαμηλής πίεσης (LPCVD). Το ZnO:B εκτός από την πολύ καλή διαπερατότητα<br />
στο φως <strong>και</strong> την καλή ηλεκτρική αγωγιμότητα που παρουσιάζει, η μορφολογία<br />
της επιφάνειας που σχηματίζει, παρουσιάζει πολύ ικανοποιητική σκεδαστική ικανότητα.<br />
Το γεγονός αυτό αυξάνει την διαδρομή του φωτός μέσα στην ενεργό περιοχή<br />
του φωτοβολταϊκού, κάτι που με τη σειρά του αυξάνει την πιθανότητα α-<br />
πορρόφησης στη κυψέλη. Αυτή η ιδιότητα είναι πολύ χρήσιμη στην τεχνολογία<br />
micromorph, γιατί επιτρέπει την χρήση λεπτών υμενίων, αποφεύγοντας φαινόμενα<br />
υποβάθμισης του aSi (Staebler – Wronski effect) [18], τα οποία αρχίζουν να<br />
18
Change language