28.02.2014 Views

σχολη εφαρμοσμένων μαθηματικων και φυσικων ... - DSpace

σχολη εφαρμοσμένων μαθηματικων και φυσικων ... - DSpace

σχολη εφαρμοσμένων μαθηματικων και φυσικων ... - DSpace

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

πίσω στρώματα TCO <strong>και</strong> της μεταλλικής επαφής (Εικ. 5a). Για τον οπτικό χαρακτηρισμό<br />

της πολυκρυσταλλικής στρώσης, χρειαστήκαμε δείγματα με διαδοχικά<br />

πάχη για την στρώση αυτή (Εικ. 5b). Τέλος για την ανάπτυξη πολυκρυσταλλικού<br />

πυριτίου μέσω ανόπτησης με laser, χρειαστήκαμε δείγματα χωρίς τη στρώση του<br />

πολυκρυσταλλικού, με το πάχος του αμόρφου να ισούται με το άθροισμα του α-<br />

μόρφου <strong>και</strong> του πολυκρυσταλλικού στην πλήρη δομή (Εικ. 5c).<br />

Στη συνέχεια θα αναφερθούμε πιο αναλυτικά στα δύο βασικά υλικά της δομής,<br />

το άμορφο Πυρίτιο (aSi) <strong>και</strong> το μικροκρυσταλλικό Πυρίτιο (μcSi)<br />

2.1.1 Υδρογονοποιημένο Άμορφο Πυρίτιο (aSi:H)<br />

Εικόνα 6: Η πυκνότητα καταστάσεων για ενδογενή<br />

aSi:H. Μέσα στο ενεργειακό χάσμα κινητικότητας<br />

(το οποίο οριοθετείται από τα E C <strong>και</strong><br />

E V ) οι καταστάσεις είναι εντοπισμένες (dangling<br />

bonds <strong>και</strong> bandtails) [6].<br />

Το aSi:H είναι ένα στερεό υλικό που<br />

αποτελείται από άτομα πυριτίου τα ο-<br />

ποία βρίσκονται διατεταγμένα στο χώρο<br />

με μικρού μήκους (πρώτων γειτόνων)<br />

τάξη <strong>και</strong> αταξία μεγάλου μήκους.<br />

Σε σύγκριση με το κρυσταλλικό Πυρίτιο<br />

(c-Si), όπου τα άτομα βρίσκονται διατεταγμένα<br />

σε συγκεκριμένες θέσεις στο<br />

κρυσταλλικό πλέγμα, στο άμορφο Si οι<br />

αποστάσεις μεταξύ τους όπως <strong>και</strong> οι<br />

γωνίες είναι τυχαίες. Σε πολλά σημεία<br />

του υλικού, αυτοί οι δεσμοί εμφανίζονται<br />

σπασμένοι - ελεύθεροι (dangling<br />

bonds). Η παρουσία Υδρογόνου κατά<br />

την διαδικασία κατασκευής του άμορφου<br />

υλικού οδηγεί σε αδρανοποίηση ενός μεγάλου ποσοστού των ελεύθερων<br />

δεσμών, καθώς τα Υδρογόνα συνδέονται σε αυτούς. Οι δύο αυτές βασικές ατέλειες<br />

στο ‘πλέγμα’ του aSi:H οδηγούν σε μία δομή ηλεκτρονιακών ζωνών που περιέχει<br />

χωρικά εντοπισμένες ενδοχασματικές καταστάσεις μέσα στο λεγόμενο ε-<br />

νεργειακό χάσμα ‘κινητικότητας’ (‘mobility’ bandgap) (Εικ. 6) [6]. Ας σημειωθεί ότι<br />

η τιμή του ‘οπτικού’ ενεργειακού χάσματος, το οποίο προκύπτει από οπτικές μετρήσεις,<br />

μπορεί να διαφέρει από το χάσμα κινητικότητας.<br />

Η παραμόρφωση των δεσμών έχει σαν αποτέλεσμα την εμφάνιση τερματικών<br />

απολήξεων (ουρών) ζώνης (bandtails) στα όρια των ζωνών σθένους <strong>και</strong> αγωγιμότητας.<br />

Σε αυτές τις τερματικές απολήξεις ζωνών, τα ηλεκτρόνια (<strong>και</strong> οι οπές)<br />

βρίσκονται εντοπισμένα στο χώρο <strong>και</strong> δεν συμμετέχουν άμεσα στο ηλεκτρικό<br />

ρεύμα. Οι μη αδρανοποιημένοι Ελεύθεροι δεσμοί δημιουργούν καταστάσεις βαθιά<br />

κοντά στο μέσο του ενεργειακού χάσματος. Αυτές εμφανίζονται είτε θετικά φορτισμένες<br />

(απουσία ηλεκτρονίου, D + ), είτε ουδέτερες (παρουσία ενός ηλεκτρονίου,<br />

D 0 ), ή αρνητικά φορτισμένες (παρουσία δύο ηλεκτρονίων, D - ). Αυτές οι καταστάσεις<br />

δρουν ως κέντρα επανασύνδεσης των ελεύθερων φορέων μέσω δύο δρόμων,<br />

μέσω D 0 /D - <strong>και</strong> D + /D 0 . Μέσο αυτού του μηχανισμού επηρεάζεται άμεσα η<br />

11

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!