σχολη εφαρμοσμένων μαθηματικων και φυσικων ... - DSpace
σχολη εφαρμοσμένων μαθηματικων και φυσικων ... - DSpace
σχολη εφαρμοσμένων μαθηματικων και φυσικων ... - DSpace
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
πίσω στρώματα TCO <strong>και</strong> της μεταλλικής επαφής (Εικ. 5a). Για τον οπτικό χαρακτηρισμό<br />
της πολυκρυσταλλικής στρώσης, χρειαστήκαμε δείγματα με διαδοχικά<br />
πάχη για την στρώση αυτή (Εικ. 5b). Τέλος για την ανάπτυξη πολυκρυσταλλικού<br />
πυριτίου μέσω ανόπτησης με laser, χρειαστήκαμε δείγματα χωρίς τη στρώση του<br />
πολυκρυσταλλικού, με το πάχος του αμόρφου να ισούται με το άθροισμα του α-<br />
μόρφου <strong>και</strong> του πολυκρυσταλλικού στην πλήρη δομή (Εικ. 5c).<br />
Στη συνέχεια θα αναφερθούμε πιο αναλυτικά στα δύο βασικά υλικά της δομής,<br />
το άμορφο Πυρίτιο (aSi) <strong>και</strong> το μικροκρυσταλλικό Πυρίτιο (μcSi)<br />
2.1.1 Υδρογονοποιημένο Άμορφο Πυρίτιο (aSi:H)<br />
Εικόνα 6: Η πυκνότητα καταστάσεων για ενδογενή<br />
aSi:H. Μέσα στο ενεργειακό χάσμα κινητικότητας<br />
(το οποίο οριοθετείται από τα E C <strong>και</strong><br />
E V ) οι καταστάσεις είναι εντοπισμένες (dangling<br />
bonds <strong>και</strong> bandtails) [6].<br />
Το aSi:H είναι ένα στερεό υλικό που<br />
αποτελείται από άτομα πυριτίου τα ο-<br />
ποία βρίσκονται διατεταγμένα στο χώρο<br />
με μικρού μήκους (πρώτων γειτόνων)<br />
τάξη <strong>και</strong> αταξία μεγάλου μήκους.<br />
Σε σύγκριση με το κρυσταλλικό Πυρίτιο<br />
(c-Si), όπου τα άτομα βρίσκονται διατεταγμένα<br />
σε συγκεκριμένες θέσεις στο<br />
κρυσταλλικό πλέγμα, στο άμορφο Si οι<br />
αποστάσεις μεταξύ τους όπως <strong>και</strong> οι<br />
γωνίες είναι τυχαίες. Σε πολλά σημεία<br />
του υλικού, αυτοί οι δεσμοί εμφανίζονται<br />
σπασμένοι - ελεύθεροι (dangling<br />
bonds). Η παρουσία Υδρογόνου κατά<br />
την διαδικασία κατασκευής του άμορφου<br />
υλικού οδηγεί σε αδρανοποίηση ενός μεγάλου ποσοστού των ελεύθερων<br />
δεσμών, καθώς τα Υδρογόνα συνδέονται σε αυτούς. Οι δύο αυτές βασικές ατέλειες<br />
στο ‘πλέγμα’ του aSi:H οδηγούν σε μία δομή ηλεκτρονιακών ζωνών που περιέχει<br />
χωρικά εντοπισμένες ενδοχασματικές καταστάσεις μέσα στο λεγόμενο ε-<br />
νεργειακό χάσμα ‘κινητικότητας’ (‘mobility’ bandgap) (Εικ. 6) [6]. Ας σημειωθεί ότι<br />
η τιμή του ‘οπτικού’ ενεργειακού χάσματος, το οποίο προκύπτει από οπτικές μετρήσεις,<br />
μπορεί να διαφέρει από το χάσμα κινητικότητας.<br />
Η παραμόρφωση των δεσμών έχει σαν αποτέλεσμα την εμφάνιση τερματικών<br />
απολήξεων (ουρών) ζώνης (bandtails) στα όρια των ζωνών σθένους <strong>και</strong> αγωγιμότητας.<br />
Σε αυτές τις τερματικές απολήξεις ζωνών, τα ηλεκτρόνια (<strong>και</strong> οι οπές)<br />
βρίσκονται εντοπισμένα στο χώρο <strong>και</strong> δεν συμμετέχουν άμεσα στο ηλεκτρικό<br />
ρεύμα. Οι μη αδρανοποιημένοι Ελεύθεροι δεσμοί δημιουργούν καταστάσεις βαθιά<br />
κοντά στο μέσο του ενεργειακού χάσματος. Αυτές εμφανίζονται είτε θετικά φορτισμένες<br />
(απουσία ηλεκτρονίου, D + ), είτε ουδέτερες (παρουσία ενός ηλεκτρονίου,<br />
D 0 ), ή αρνητικά φορτισμένες (παρουσία δύο ηλεκτρονίων, D - ). Αυτές οι καταστάσεις<br />
δρουν ως κέντρα επανασύνδεσης των ελεύθερων φορέων μέσω δύο δρόμων,<br />
μέσω D 0 /D - <strong>και</strong> D + /D 0 . Μέσο αυτού του μηχανισμού επηρεάζεται άμεσα η<br />
11