[19] S.N.R. Kazmi, A.Y. Kovalgin, A. A. I. Aarnink, C. Salm and J. Schmitz, ‘Low-Stress Highly- Conductive In-Situ Boron Doped Ge 0.7 Si 0.3 Films by LPCVD’, ECS Journal of Solid State Science and Technology, Vol. 1 (5) (2012) pp. 222-P226. [20] S. Faÿ, L. Feitknecht, R. Schlüchter, U. Kroll, E. Vallat-Sauvain, A. Shah, ‘Rough ZnO layers by LP-CVD process and their effect in improving performances of amorphous and microcrystalline silicon solar cells’, Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol. 90 (2006) pp. 2960–2967. [21] D. Klinger, E. Łusakowska, D. Żymierska, ‘Nano-structure formed by nanosecond laser annealing on amorphous Si surface’, Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 9 (2006) pp. 323–326. [22] Michael O. Thompson, G. J. Galvin and J. W. Mayer, ‘Melting Temperature and Explosive Crystallization of Amorphous Silicon during Pulsed Laser Irradiation’, Phys. Rev. Let. Vol. 52 (26) (1984) pp. 2360-2364. [23] Isao Tsunoda, Ryo Matsuura, Masanori Tanaka, Hajime Watakabe, Toshiyuki Sameshima, Masanobu Miyao, ‘Direct formation of strained Si on insulator by laser annealing’, Thin Solid Films, Vol. 508 (2006) pp. 96-98. [24] Matthew S. Brown, Craig B. Arnold, ‘Fundamentals of Laser-Material Interaction and Application to Multiscale Surface Modification’, Springer Series in Materials Science, Vol. 135 (2010) pp. 91-120. [25] H. Kuriyama et al., ’Enlargement of Poly-Si Film Grain Size by Excimer Laser Annealing and Its Application to High-Performance Poly-Si Thin Film Transistor’, Jap. J. Appl. Phys. Vol. 30 (1991) pp. 3700-3703. [26] S. Nakano et al., ‘Laser Patterning Method for Integrated Type a-Si Solar Cell Submodules’, Jap. J. Appl. Phys. Vol. 25 (1986) pp. 1936-1943. [27] H.Wada, T. Kamijoh, ‘Thermal Conductivity of Amorphous Silicon’, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35 (1996) pp. L648-L650. [28] Dr. Bernd Dippel, http://www.raman.de , (2011). [29] Ι. Ράπτης, ‘Συμπληρωματικές Σημειώσεις για το Εργαστήριο «Φασματοσκοπία Raman” του μαθήματος «Μέθοδοι Χαρακτηρισμού Υλικών»’, Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο: Τομέας Φυσικής, Αθήνα (2010). [30] Pedro Alfaro, Rodolfo Cisneros, Monserrat Bizarro, Miguel Cruz-Irisson and Chumin Wang, ‘Raman scattering by confined optical phonons in Si and Ge nanostructures’, Nanoscale, Vol. 3 (2011) pp. 1246. [31] Gwénaël Gouadec, Philippe Colomban, ‘Raman Spectroscopy of nanomaterials: How spectra relate to disorder, particle size and mechanical properties’, Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, Vol. 53 (2007) pp.1-56. [32] H. Richter, Z.P. Wang, and L. Ley, ‘The one Phonon Raman Spectrum in microcrystalline Silicon’, Solid State Communications, Vol.39 (1981) pp.625-629. [33] I.H. Campbell and P.M. Fauchet, ‘The Effects Of Microcrystal Size and Shape on the One Phonon Raman Spectra of Crystalline Semiconductors’, Solid State Communications, Vol. 58, No. 10, (1986) pp. 739-741. [34] Z Iqbal and S Vepiek, ‘Raman scattering from hydrogenated microcrystalline and amorphous silicon’, J. Phys. C: Solid State Phys. Vol. 15 (1982) pp. 377-392. [35] D.V. Murphy & S.R.J. Brueck, Mat. Res. Sot. Symp. Proc. Vol. 17 (1983) pp. 81. [36] V. Paillard, P. Puech, M. A. Laguna, R. Carles, B. Kohn et al., ‘Improved one-phonon confinement model for an accurate size determination of silicon nanocrystals’, J. Appl. Phys. Vol. 86 (1999) pp. 1921. [37] Giuseppe Faraci, Santo Gibilisco, Paola Russo, and Agata R. Pennisi, ‘Modified Raman confinement model for Si nanocrystals’, Phys. Rev. B, Vol. 73 (2006) pp. 033307. XV
[38] Gwénaël Gouadec and Philippe Colomban, ‘Raman Spectroscopy of Nanostructures and Nanosized Materials’, J. Raman Spectroscopy, Vol. 38 [6] (2007) pp. 598-603. [39] Lamb H. Proc. London Math. Soc. Vol. 13 (1882) pp. 189. [40] J. I. Langford and A. J. C. Wilson, ‘Scherrer after Sixty Years: A Survey and Some New Results in the Determination of Crystallite Size’, J. Appl. Cryst. Vol. 11 (1978) pp.102- 113. [41] C. Smit et al., ‘Determining the material structure of microcrystalline silicon from Raman spectra’, J. Appl. Phys. Vol. 94 (2003) pp. 3582-3588. [42] H. Touir, J. Dixmier, K. Zellama, J.F. Morhange, P. Elkaim, ‘Bimodal crystal size distribution in annealed r.f. magnetron silicon films: a memory effect of the local order inhomogeneities in the initial amorphous state’, Journal of Non-Crystalline Solids, Vol. 227– 230 (1998) pp. 906-910. [43] DatLab Manual, MPI/FKF-Stuttgart (1998). [44] K. H. Tsang, H. W. Kui, and K. P. Chik, ‘Calorimetric studies of the heat capacity and relaxation of amorphous Si prepared by electron beam evaporation’, J. Appl. Phys. Vol. 74 (1993) pp. 4932-4935. [45] Mikhail Polyanskiy, ‘RefractiveIndex.INFO: Refractive index online database’, http://refractiveindex.info/ [46] H.S. Mavi, Sudakshina Prusty, A.K. Shukla, S.C. Abbi, ‘Continuous wave laser-induced temperature rise in the thin films of silicon nanocrystals using Raman scattering’, Thin Solid Films, Vol. 425 (2003) pp. 90–96. [47] R. Tsu and J.G. Hernandez, ‘Temperature dependence of silicon Raman lines’, Appl. Phys. Lett. Vol.41 (1982) pp. 1016-1018. [48] Golden Software, Inc. ‘Surfer 7 User’s Guide: Contouring and 3D Surface Mapping for Scientists and Engineers’, Golden Software, Inc. (1999). [49] Randal Barnes, ‘Variogram Tutorial’, Golden Software, Inc. XVI
- Page 1:
ΕΘΝΙΚΟ ΜΕΤΣΟΒΙΟ ΠΟ
- Page 4 and 5:
...................................
- Page 6 and 7:
Abstract In this master thesis are
- Page 8 and 9:
4.1.2. Δείγματα με αυξ
- Page 10 and 11:
μοποιούν απευθείας
- Page 12 and 13:
νουσες οπές στην ΖΣ
- Page 14 and 15:
σχετίζεται με το πο
- Page 16 and 17:
1.4. Το περίγραμμα τη
- Page 18 and 19:
Παρόλο που οι δύο ε
- Page 20 and 21:
ηλεκτρονική μεταφο
- Page 22 and 23:
σικό ρόλος που παίζ
- Page 24 and 25:
των 800nm της στρώσης
- Page 26 and 27:
εναπόθεσης καθώς κ
- Page 28 and 29:
φορά τους στην επιφ
- Page 30 and 31:
φαρμογές φωτοβολτα
- Page 32 and 33:
Οι θερμοκρασιακές
- Page 34 and 35:
ρουμε τις βασικές π
- Page 36 and 37:
H πυκνότητα ενέργει
- Page 38 and 39:
Κεφάλαιο 3: Φασματο
- Page 40 and 41:
a a a Q sin( t) ... a sin( t) ... 0
- Page 42 and 43:
ενέργειας του αδια
- Page 44 and 45:
Από την σχέση (19) πρ
- Page 46 and 47:
ρυφής (Full Width at Half Maxi
- Page 48 and 49:
Για την απλοποίηση
- Page 50 and 51:
Εικόνα 18: (a) Σύγκρισ
- Page 52 and 53:
Στην ολοκληρωμένη
- Page 54 and 55:
4.1.2. Δείγματα με αυξ
- Page 56 and 57:
Το γεγονός αυτό έστ
- Page 58 and 59:
Εικόνα 22: Εικόνες SEM
- Page 60 and 61:
τις εντάσεις στις ο
- Page 62 and 63:
Παρατηρούμε ότι οι
- Page 64 and 65:
να αναλύσουμε με με
- Page 66 and 67:
προκύπτει ένας μέσ
- Page 68 and 69:
4.3.1. Επιλογή βέλτισ
- Page 70 and 71:
480cm -1 για το αSi και μ
- Page 72 and 73:
Παρακινούμενοι λοι
- Page 74 and 75:
4.3.2. Μελέτη βασικών
- Page 76 and 77:
4.3.2.2. Διαδοχικά στρ
- Page 78 and 79:
τερα προσεκτικοί γ
- Page 80 and 81:
από το μήκος κύματο
- Page 82 and 83:
Η ζώνη του ncSi με την
- Page 84 and 85:
Εξάρτηση από την ισ
- Page 86 and 87:
Εξάρτηση από την ισ
- Page 88 and 89:
Από την μέχρι τώρα
- Page 90 and 91:
Ένας σφαιρικός φακ
- Page 92 and 93:
στο οποίο διαθέτου
- Page 94 and 95:
κληρωμένης δομής (Ε
- Page 96 and 97: Εδώ τα φάσματα κατα
- Page 98 and 99: κρυσταλλικού πυριτ
- Page 100 and 101: φαιρέσουμε από την
- Page 102 and 103: παρατηρήσεις (Εικ. 5
- Page 104 and 105: Σε αυτή τη κατηγορί
- Page 106 and 107: Μεταξύ των δύο μηκώ
- Page 108 and 109: Στην Εικ. 54 απεικον
- Page 110 and 111: Σειρά μετρήσεων με
- Page 112 and 113: 4.3.4. Πειράματα Laser α
- Page 114 and 115: N G w Z (34) j ij i i 1 Με βάσ
- Page 116 and 117: Τα ποσοστά των τριώ
- Page 118 and 119: Στη περίπτωση των 30
- Page 120 and 121: Δείγμα της 3 ης κατη
- Page 122 and 123: Ο αριθμός των παλμώ
- Page 124 and 125: οχή σε μεγαλύτερη μ
- Page 126 and 127: Εικόνα 69: Εικόνες τ
- Page 128 and 129: Η μείωση της πυκνότ
- Page 130 and 131: Για τον δομικό χαρα
- Page 132 and 133: Παράρτημα Α: Χαρακτ
- Page 134 and 135: Crystallographic parameters Crystal
- Page 136 and 137: Παράρτημα Β: Διάταξ
- Page 138 and 139: Παράρτημα Γ: Επαναλ
- Page 140 and 141: 2 η Επανάληψη Εικόν
- Page 142 and 143: Παράρτημα Δ: Βασικά
- Page 144 and 145: 1 ( x, y) ( zi z j) 2 N( x, y) ( i,