1 ( x, y) ( zi z j) 2 N( x, y) ( i, j) S( x, y) 2 Ο παραπάνω τύπος του πειραματικού διαγράμματος μεταβλητότητας για ένα συγκεκριμένο διάνυσμα διαχωρισμού είναι ουσιαστικά το μισό του μέσου όρου του τετραγώνου της διαφοράς των z-τιμών, για όλα τα ζευγάρια μετρήσεων που διαφέρουν όσο το συγκεκριμένο διάνυσμα. Με προσδιορισμένο το πειραματικό διάγραμμα μεταβλητότητας, το επόμενο βήμα είναι η επιλογή του κατάλληλου θεωρητικού μοντέλου το οποίο προσαρμόζει με τον βέλτιστο τρόπο το πειραματικό διάγραμμα. Το θεωρητικό αυτό μοντέλο προσδιορίζει την χωρική μεταβλητότητα των πειραματικών δεδομένων <strong>και</strong> συνεπώς το πλέγμα πάνω στο οποίο θα στηριχτεί η δημιουργία του χάρτη ισομετρικών επιφανειών. Οι συντελεστές βαρύτητας w ij που εισάγονται στη σχέση (34) κατά την δημιουργία του πλέγματος, για το καθορισμό της συμμετοχής της κάθε μέτρησης Z i στον προσδιορισμό του κόμβου G j του πλέγματος, είναι συναρτήσεις του μοντέλου διαγράμματος μεταβλητότητας που έχει επιλεγεί [49]. Στην Εικόνα Δ-1 παραθέτουμε τα πειραματικά διαγράμματα μεταβλητότητας, σε μία κατεύθυνση, για τα ποσοστά των τριών ζωνών των φασμάτων Raman της ακτινοβολημένης περιοχής με τα 266nm. Για όλες τις άλλες κατευθύνσεις έχουμε παρόμοια αποτελέσματα. Το καταλληλότερο μοντέλο για αυτήν την περίπτωση μετρήσεων, είναι το γραμμικό, το οποίο φαίνεται με την ευθεία γραμμή στις τρεις περιπτώσεις. Αυτή είναι <strong>και</strong> η καλύτερη επιλογή για μικρά σύνολα πειραματικών δεδομένων, όπου τα σημεία στην κάθε διεύθυνση δε φτάνουν για να αναδειχθεί κάποια περεταίρω εξάρτηση. XIII
Αναφορές [1] International Energy Agency, ‘World Energy Outlook 2010’, Paris, France, (2010) [2] Solar energy, from Wikipedia, the free encyclopedia: http://wikipedia.org/wiki/Solar_energy. [3] EPIA, ‘Global Market Outlook for Photovoltaics until 2016’, (2012). [4] Carlson D., Wronski C, ‘Amorphous silicon solar cells’, Topics in Applied Physics Vol. 36 (1985) pp. 287-329. [5] Oerlikon Solar-Lab SACH-2000 Neuchâtel, Ulrich Kroll, ‘From R&D to Thin Film Silicon PV at Oerlikon Solar’, 3 rd Gen Photovoltaics: CleanTech Day CSEM Basel / 19th August, (2009). [6] Corinne Droz, ’Thin Film Microcrystalline Silicon Layers and Solar Cells: Microstructure and Electrical Performances’, PhD Thesis, Université de Neuchâtel: Institute de Microtechnique, (2003). [7] M. Luysberg, P. Hapke, R. Carius, and F. Finger, Phil. Mag. A, Vol. 75 (1997) pp. 31. [8] E. Vallat-Sauvain, U. Kroll, J. Meier, A. Shah, and J. Pohl, ’Evolution of the microstructure in microcrystalline silicon prepared by very high frequency glow-discharge using hydrogen dilution’, J. Appl. Phys. Vol. 87 (2000) pp. 3137. [9] J. Bailat, E. Vallat-Sauvain, L. Feitknecht, C. Droz, and A. Shah, ‘Microstructure and opencircuit voltage of n−i−p microcrystalline silicon solar cells’, J.Appl. Phys. Vol. 93/9 (2003) pp. 5727. [10] S. Klein, F. Finger, R. Carius, T. Dylla, B. Rech, M. Grimm, L. Houben, and M. Stutzmann, ’Intrinsic microcrystalline silicon prepared by hot-wire chemical vapour deposition for thin film solar cells’, Thin Solid Films, Vol. 430/1-2 (2003) pp. 202. [11] T. Roschek, T. Repmann, J. Muller, B. Rech, and H. Wagner, ‘Comprehensive study of microcrystalline silicon solar cells deposited at high rate using 13.56 MHz plasmaenhanced chemical vapor deposition’, J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 20/2 (2002) pp. 492. [12] A. Shah, J. Meier, E. Vallat-Sauvain, C. Droz, U. Kroll, N. Wyrsch, J. Guillet, and U. Graf, ‘Microcrystalline silicon and ‘micromorph’ tandem solar cells’, Thin Solid Films, Vol. 403 (2002) pp. 179. [13] Vallat-Sauvain et al. ‘High efficiency micromorph tandem cells’, U. S. Patent 2012/0227799 A1, September 13, (2012). [14] James D. Plummer, Michael D. Deal, Peter B Griffin, ‘Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice and Modeling’, Prentice Hall, New Jersey (2000). [15] A.A. Howling, J.-L. Dorier, C. Hollenstein, U. Kroll, and F. Finger, ’Frequency effects in silane plasmas for plasma enhanced chemical vapor deposition’, J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 10 (1992) pp. 1080. [16] H. Curtins, N. Wyrsch, M. Favre, and A.V. Shah, ‘Influence of plasma excitation frequency fora-Si:H thin film deposition’, Plasma Chem. Plasma Proc. Vol. 7/3 (1987) pp. 267. [17] A.V. Shah, J. Meier, E. Vallat-Sauvain, N. Wyrsch, U. Kroll, C. Droz, U. Graf, ‘Material and solar cell research in microcrystalline silicon’, Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol. 78 (2003) pp. 469–491. [18] A. Kolodziej, ‘Staebler-Wronski effect in amorphous silicon and its alloys’, Opto- Electronics Review Vol. 12(1) (2004) pp.21-32. XIV