σχολη εφαρμοσμένων μαθηματικων και φυσικων ... - DSpace

Σειρά μετρήσεων με δέσμη διέγερσης στα 476.5nm
Εικόνα 56: Εύρεση των μεγεθών και σχημάτων των νανοκρυσταλλιτών που παρουσιάζουν τα
δείγματα με n-layer στα διάφορα πάχη μcSi με ακτινοβόληση στα 476.5nm. Ο πρώτος πίνακας
περιέχει τα δεδομένα που προκύπτουν από τα φάσματα Raman. ω η θέση κάθε ζώνης, Δω η μετατόπισή
της ως προς τα 520.5cm -1 του cSi, Γ το FWHM της κάθε ζώνης.
Όπως φάνηκε και από την συζήτηση για τα ποσοστά των ζωνών στα διάφορα
πάχη της στρώσης του μcSi, η χρήση της μπλε γραμμής που συνεπάγεται πιο
μικρό βάθος διείσδυσης, οδηγεί σε μεγαλύτερες τιμές κρυσταλλικότητας της ακτινοβολούμενης
περιοχής. Αυτό φαίνεται και εδώ από τα μεγαλύτερα μεγέθη και τα
σχήματα των νανοκρυσταλλιτών που εμπεριέχονται στον ακτινοβολούμενο όγκο.
Για αυτό το μήκος κύματος δέσμης, τα αποτελέσματα των δειγμάτων με το n-
layer παρουσιάζονται στη Εικ. 56 και τα αντίστοιχα αποτελέσματα των δειγμάτων
χωρίς n-layer στην Εικ. 57. Οι δύο περιπτώσεις δίνουν πολύ κοντινά αποτελέσματα
και καθώς αντιπροσωπεύουν πιο επιφανειακά στρώματα στο κάθε πάχος,
μεταφέρουν πιο πιστά την πραγματικότητα.
Προκύπτει λοιπόν ότι, από το πάχος των 300nm έχουν αρχίσει είδη να σχηματίζονται
κυλινδρικοί νανοκρυσταλλίτες με διάμετρο βάσης στα 6nm, ενώ στα μεγαλύτερα
πάχη η διάσταση με την μεγαλύτερη ανάπτυξη ξεπερνά κατά πολύ τα
όρια του μοντέλου, με αποτέλεσμα να μιλάμε πλέον για ενιαίο φιλμ πάχους 3 και
11nm στα 600 και 900nm μcSi αντίστοιχα.
102