σχολη εφαρμοσμένων μαθηματικων και φυσικων ... - DSpace

φαιρέσουμε από την ολ. Ένταση I aSi των δειγμάτων με αυξανόμενη στρώση μcSi,
λαμβάνοντας υπόψη ότι η Ι 0 μειώνεται διερχόμενη από την στρώση του μcSi αλλά
και ότι η ακτινοβολία του laser φτάνει στη στρώση του aSi μειωμένη από το
μcSi από το οποίο διέρχεται (Εικ. 49):
1
IaSi _ in _ cSi
IaSi I0 exp 2 a
cSi
cm t
cSi
cm (33)
, t μcSi το πάχος της στρώσης του μcSi και α μcSi ο συντελεστής απορρόφησης
του μcSi, ο οποίος εξαρτάται από το ποσοστό του aSi μέσα στο μcSi. Συνεπώς,
με απλή επαναληπτική μέθοδο προσδιορίστηκε ο κατάλληλος συντελεστής α-
πορρόφησης και το ποσοστό του aSi. Πηγή για τις τιμές του συντελεστή απορρόφησης
του μcSi για τα διάφορα ποσοστά αμόρφου ήταν η βάση δεδομένων
RefractiveIndex.INFO [45].
Η επαναληπτική διαδικασία συνέκλινε στην 4 η προσπάθεια. Οι διορθωμένες
τιμές που προέκυψαν για την ολοκληρωμένη ένταση της ζώνης του αμόρφου ή-
ταν ίδιες με τις αρχικές. Το γεγονός αυτό επιβεβαιώνει το συμπέρασμα που προκύπτει
από τα υπολογισθέντα βάθη διείσδυσης, ότι δηλαδή, η δέσμη του laser σε
αυτά τα μήκη κύματος δεν φτάνει στη στρώση του aSi.
Εικόνα 49: Σχηματική απεικόνιση της επίδρασης της στρώσης του μcSi στη σκεδαζόμενη κατά
Raman δέσμη από την στρώση του aSi. I Laser : Η διεγείρουσα δέσμη laser. I 0 ’: Η εξασθενημένη δέσμη
που φτάνει στο aSi. I’ 0-aSi : η σκεδαζόμενη κατά Raman δέσμη από την στρώση του aSi. I 0 : η
σκεδαζόμενη κατά Raman δέσμη από το aSi χωρίς την ύπαρξή του μcSi. I 0-aSi : Η τελική σκεδαζόμενη
κατά Raman δέσμη από την στρώση του aSi μετά την διπλή εξασθένιση λόγο της στρώσης
του μcSi.
92