BGST - JUSAMI

More documents

Recommendations

Info

$D:\MASTER JUSAMI YANG SUDAH LEN - Batan$

$D:\OTONG MR\JUSAMI PROSES PDF\M - Batan$




$G:\MASTER JUSAMI YANG SUDAH LEN$

$G:\MASTER JUSAMI YANG SUDAH LEN$

Jurnal Sains Materi Indonesia Indonesian Journal of Materials Science paraelektrik pada suhu kamar [4]. Untuk bahan BGST2%, hasil kurva yang dihasilkan dari tegangan 5V sampai dengan 19V memiliki bentuk yang mirip satu sama lainnya (linear terhadap medan listrik yang diberikan) kecuali pada tegangan 8V (bentuknya seperti zig-zag). Sedangkan untuk BGST4%, pengukuran dilakukan pada tegangan 5V sampai dengan 14V. Sama hal nya dengan BGST2%, pola kurva semuanya memiliki kemiripan (linier terhadap medan listrik yang diberikan) kecuali pada tegangan 6V, 8V dan 9V yang memiliki kurva dengan bentuk kurang baik. Penggunaan tegangan yang berbeda-beda bertujuan untuk mengetahui sebesar apa kekuatan sampel terhadap pengaruh tegangan yang diberikan dan untuk mencari atau menghasilkan kurva histerisis yang baik. Gambar 6. memperlihatkan contoh bentuk kurva BGST1%, BGST2% dan BGST4%. (a) 230 (b) (c) BGST1%Si (7V) 15 10 5 0 -10 -5 0 5 10 -5 -10 Medan Listrik BGST2%Si(19V) -40 -20 40 30 20 10 0 -10 -20 -30 0 20 40 Medan Listrik BGST2%Si(19V) -40 -20 40 30 20 10 0 -10 -20 -30 0 20 40 Medan Listrik Gambar 6. Bentuk kurva histerisis (a). BGST1% Si pada tegangan 7V, (b). BGST2% Si pada tegangan 19V, (c). BGST4% Si pada tegangan 19V. Edisi Khusus Oktober 2006, hal : 225 - 231 ISSN : 1411-1098 Perhitungan nilai polarisasi spontan dilakukan dengan menggunakan dua data parameter kisi (hasil perhitungan manual dan hasil perhitungan GSAS) berdasarkan posisi atom dalam unit sel satuan. Hasil perhitungan tertera pada Tabel 3. Tabel 3. Hasil perhitungan polarisasi spontan film BGST. No Sampel Parameter kisi 2 BGST1M1%Si 3 BGST1M2%Si 4 BGST1M4%Si Dari hasil perhitungan polarisasi spontan di atas, terlihat bahwa pada film, nilai polarisasi spontan berbanding terbalik dengan besarnya nilai parameter kisi BGST. Hal ini dikarenakan jika suatu bahan memiliki parameter kisi yang kecil maka jarak antar atom menjadi berdekatan yang mengakibatkan volume kristal menjadi kecil, sehingga nilai polarisasi spontan menjadi besar. Lain halnya jika bahan tersebut diberi perlakuan medan listrik dari luar, maka akan menghasilkan polarisasi spontan seperti yang diperlihatkan oleh Gambar 6. Sehingga dapat dikatakan secara keseluruhan, perlakuan doping Ga 2 O 3 pada bahan BST akan mempengaruhi nilai polarisasi spontan (P s ). Hal ini disebabkan karena adanya pergantian pemenempatan posisi atom Ti oleh atom Ga secara acak yang memiliki muatan ionik berbeda. Nilai polarisasi spontan yang dihasilkan menggambarkan peningkatan bila penambahan doping galium diperbesar. Penambahan nilai polarisasi spontan ini diakibatkan oleh adanya atom Ga dalam campuran yang membangkitkan kekosongan (vacancy) dalam bahan. Pada kasus ini disebut sifat hard doping dengan menggunakan ion Ga 3+ sebagai pengganti Ti 4+ menyebabkan efek kenaikan sifat kekerasan dari bahan BST. Tetapi bulk resistivitas lebih rendah, sifat medan koersif lebih tinggi, faktor kualitas mekanik lebih tinggi dan faktor kualitas listrik lebih tinggi [13]. KESIMPULAN Polarisasi Spontan 2 ( C / cm ) Manual (3,8725 Å) 53,3466 GSAS (3,9354 Å) 51,6550 Manual (3,7466 Å) 57,0531 GSAS (3,8617 Å) 53,6454 Manual (3,9240 Å) 51,9555 GSAS (3,7550 Å) 56,7375 Dari hasil penelitian yang telah dilakukan, dapat disimpulkan sebagai berikut: 1. Film BST dan BGST telah berhasil dibuat di atas substrat Si(111) dengan menggunakan metode Chemical Soluttion Deposition (CSD) berbantuan spin coating. 2. Hasil XRF menunjukkan bahwa unsur-unsur pembentuk BST dan BGST telah terdeteksi.
Pembuatan dan Karakterisasi Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 Doping Ga 2 O 3 (BGST) (T. Sumardi) 3. Dengan program GSAS dihasilkan bahwa BST dan BGST memiliki sistem kristal kubik dengan grup ruang P m 3 m dan adanya fasa TiO.Adapun nilai parameter kisinya untuk BST, BGST1M1%Si, BGST1M2%Si, BGST1M4%Si berturut-turut : 3,9469 Å; 3,9354 Å; 3,8617 Å dan 3,7550 Å. 4. Hasil SEM menunjukkan bahwa semua sampel masih bersifat heterogen. 5. Nilai polarisasi spontan untuk sampel BGST (1%, 2% dan 4%) dengan nilai parameter kisi hasil GSAS berturut-turut: 51,6550,53,6454 dan 56,7375 . 6. Secara umum penambahan doping galium akan menurunkan nilai parameter kisi dan meningkatkan nilai polarisasi spontan bahan Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 1M. UCAPAN TERIMAKASIH Para penulis mengucapkan banyak terimakasih kepada Ketua Departemen Fisika FMIPA UI yang telah menyediakan fasilitas penelitian. Sebagian dana riset ini berasal dari Proyek Hibah Pasca Sarjana Dikti Departemen Pendidikan Nasional tahun anggaran 2006. DAFTARACUAN [1]. APARNA, BHIMASANKARAN, S. V. SURYANARAYANA, G.S. KUMAR, Bull Mater Sci., 24, (5) (2001) 497-504 [2]. M. HIKAM, B. SOEGIONO, T. SUMARDI, P.W.K. ANGGRAINI, C. SUNANDAR dan T. YOGARAKSA, Development of Barium Strontium Titanate Thin Film Doped by Fe, One Day Workshop on Materials and Metalurgy, UI-UKM, Depok (2006) [3]. SEO, JIN-YONG, SUNG-WOO PARK., Journal of Korean Physics Society, 45 (3) (2004) 769-772 [4]. UMUT ADEM, Preparation of Ba x Sr 1-x TiO 3 Thin Films By Chemical Solution Deposition and Their Electrical Characterization, Thesis (2003) [5]. LINES, M. E., A.M. GLASS, Principles and Application of Ferroelectrics and Related Materials. Clarendon Press. Great Britain (1997) [6]. IRZAMAN, H. DARMASETIAWAN, M. N. INDRO, S. G SUKARYO, M. HIKAM, NAPENG BO and M. BARMAWI, Electrical Properties of Crystaline Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 Thin Film (2001) [7]. Y. GAO, S.HE, P.ALLURI, M. ENGELHARD,A. S. LEA, J. FINDER, B. MELNICK and R. L. HANCE, Effects of Precursors and Substrat Materials on Microstructure, Dielectric Properties, and Step Coverage of (Ba, Sr) TiO 3 Films Grown by Metalorgical Vapor Deposition (2000) [8]. SALOMO, Pengaruh Variasi Tekanan Terhadap Konstanta Dielektrikum dan Parameter Kisi Material Piezoelektrik (Studi Kasus Barium Titanat dan Kuarsa). Tesis. Program Studi Ilmu Fisika Program Pasca Sarjana UI, Jakarta (1994) [9]. IRZAMAN, Studi Lapisan Tipis Pyroelektrik PbZr 0,52 Ti 0,48 O 3 (PZT) Yang Didadah Tantalum dan Penerapannya Sebagai Detektor Infra Merah. Disertasi, Jurusan Fisika FMIPA, ITB (2005) [10]. K. Uchino, Ferroelectric Devices, Macel Dekker, NewYork (2000) [11]. Y. IRIANI, M. HIKAM dan IRZAMAN, Analisa Struktur Kristal dan Komposisi Lapisan Tipis Ba 0.5 Sr 0.5 TiO 3 yang Disiapkan dengan Spin Coating, Seminar Fisika, UNS, Solo (2005) [12]. CULLITY, Element of X-Ray Diffraction, Third Edition, Massachusetts: Addison Wesley Publishing Company Inc.,London, (2001) 385-402 [13]. YUHUAN XU, Ferroelectric Materials and Their Application, University of Calofornia LosAngeles, CA, USA (1991) 14]. IRZAMAN,Y. DARVINA,A. FUAD, P.ARIFIN,M. BUDIMAN, M.BARMAWI, Physica Status Solidi (a), Germany, 199 (3) (2003) 416-424 231
Page 1 and 2: Pembuatan dan Karakterisasi Ba 0,5
Page 3 and 4: Pembuatan dan Karakterisasi Ba 0,5
Page 5: Pembuatan dan Karakterisasi Ba 0,5

BGST - JUSAMI

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?