Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
CHAPITRE IV
Techniques d’estimation de la durée de
Introduction
vie des dispositifs MOSFET
D’un point de vue industriel, les études de fiabilité ont pour but de déterminer la viabilité
commerciale d’un produit, de s’assurer que le produit final répondra aux attentes des consom-
mateurs, en terme de robustesse et de longévité. Les fondeurs ont donc besoin de connaître la
durée de vie des dispositifs, évaluée suivant des critères d’usures bien définis. Bien évidemment,
les impératifs temporels de développements rendent impossible de polariser la structure dans
ses conditions normales de fonctionnement et d’attendre ses premiers signes de défaillance.
C’est pourquoi on utilise les méthodes d’accélérations présentées au chapitre précédent. Dans
ce dernier chapitre nous allons présenter les modèles prédictifs empiriques qui permettent de
déterminer les temps nécessaires pour atteindre un niveau de dégradation donné d’un paramètre
pré-défini, en distinguant le cas du NMOS et celui du PMOS, en fonction des différentes filières
technologiques. Par la suite, sera présentée l’influence du moniteur choisi pour suivre le vieillis-
sement des structures MOSFET. Enfin nous nous pencherons sur le cas particulier du PMOS de
la technologie T3.