Exercices sur les transistors MOS à un étage

Exercices sur les transistors MOS à un étage
Exercice N°1:
Un MOSFET à canal N, utilisé en saturation, a les paramètres suivants: V Th = 1V, = 0 et
1/2µ n C ox = 30 µA/V². Déterminer à V GS = 0V:
a) le rapport ( ) pour I DQ = 4 mA,
b) le courant nécessaire I DQ si = 60.
Exercice N°2:
(w et L sont la largeur et la longueur du canal).
Un MOSFET à canal P, a les caractéristiques suivantes: kp = 125µA/V², V SG = 3.2 V,
V SD = 0.4 V et V Th = -1.2 V.
a) Déterminer la tension de saturation et le régime de fonctionnement.
b) Déterminer le courant I DQ ainsi que la transductance g m .
Exercice N°3:
Un MOSFET à enrichissement canal N est alimenté par une source de grille V GS = 3 V, quel
sera le comportement de ce transistor (préciser le régime en justifiant la réponse), si:
a) V Th = -1.2 V et V DS = 2 V?
b) V Th = 1.2 V et V DS = 2 V?
c) V Th = 1.2 V et V DS = -2 V?
d) V Th = 1.2 V et V DS = 0.4 V?
e) V Th = 1.2 V et V DS = 1.2 V?
f) V Th = 1.2 V et V DS = 4 V?
Exercice N°4:
Soit le transistor MOS à canal N polarisé par une tension V DD = 12 V,
a un point de fonctionnement tel que V DS = 6 V, I DQ = 8 mA et V Th = 1.2 V
pour kn = 4 mA/V².
Déterminer les résistances R 1 , R 2 et R S ainsi que la transductance g m si R 1 +
R 2 = 500 k.
Exercice N°5:
Soit le transistor MOS à canal P polarisé par une tension V + = 5V et
V - = -5V a un point de fonctionnement tel que V SD = 6 V, R D = 2 k et
V Th = -1.5 V pour kp = 5 mA/V².
Déterminer R S et I DQ.

Exercice N°6:
Soit le transistor MOS à canal N polarisé par une
tension V + = 10V et V - = -10V avec les résistances
R S = 10 k, R D = 5 k et V Th = 2 V pour kn = 4 mA/V².
a) Déterminer le point de fonctionnement.
b) Calculer la transductance g m.