Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

Chapitre IV – Réalisation d’un transistor à vanne de spin sous ultra-vide.ΔTexp=ΔI+ MC− ΔI2I0−MCOn peut alors définir l’asymétrie de spin (ou contraste de spin) pour chaque courant I B et I C :ABICAC=ICσIB− I=σI + IBσσσ− I ΔTC=σ+ I 2TCΔTexp=2(1 − TσBσBexpexpexp)ΔT=2TΔT=2(1 − T)(IV.6)En particulier, nous prévoyons une divergence de l’asymétrie mesurée sur la base lorsque T estde l’ordre de 1.On définit également la fonction de Sherman de l’instrument par :ACS =Cette fonction n’est cependant pas à confondre avec la fonction de Sherman S intrinsèque dufiltre à spin introduit au chapitre II.3.B. Régimes de transmission du transistorNous avons représenté sur la figure (Fig.IV.18), l’allure typique des courants I B et I C pourl’échantillon 2 lorsque l’énergie d’injection est comprise entre 6 et 1400 eV. Lorsque l’énergie desélectrons incidents est en dessous de 500 eV, le courant I B est quasiment égal au courant incident. Audelà, le courant transmis continue à croître, jusqu’à des valeurs de plusieurs microampères.Pour une énergie particulière, E* = 765 eV, le courant collecté est égal au courant incident. Cettevaleur de l’énergie correspond à une transmission égale à 1, soit T(E*) = 1. On remarque, que surl’ensemble de la gamme représentée la relation IV.5 I 0 = I B + I C , est bien vérifiée.Pour une énergie E 0 > E*, le courant collecté dans la base devient négatif, et le courant I C supérieur aucourant injecté I 0 . Nous avons représenté sur la figure (Fig. IV.19), la représentation en échelle loglog,de la transmission de l’échantillon 1. Pour cet échantillon, d’épaisseur plus faible que leprécédent, E * = 520 eV. Lorsque l’énergie des électrons incidents passe de 10 à 3000 eV, latransmission varie de plus de 6 ordres de grandeurs. Pour une énergie de 3000 eV, cet échantillonprésente un gain de plus de 300 ; c’est-à-dire que pour un électron incident, 300 électrons sontdétectés dans le SC.Ces transmissions, très largement supérieures à 1, montrent la possibilité d’avoir un gain du transistorsupérieur à 1, pour une énergie d’injection de l’ordre de 500 eV, et démontrent que les processus demultiplication et de collection dans le filtre à spin sont très efficaces, même pour des épaisseurs demétal de quelques nanomètres.P 087