Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

Chapitre IV – Réalisation d’un transistor à vanne de spin sous ultra-vide.Fig.IV.16 : Simulation des trajectoires électroniques des électrons à la sortie de l’optique desortie (diaphragme de sortie E 6 qui est au potentiel V 6 = 40 V) dans le mode où V G = – V 0 , avecV 0 = 0, 9, 18 et 29 V. Pour ces simulations, nous avons fixé l’énergie de l’échantillon à 10 V, etl’énergie moyenne des électrons émis à 5 eV. Un angle de réémission compris entre [-50° ;50°] aété choisi. E i fait référence aux électrons incidents (dont le point objet est situé au milieu dudiaphragme de sortie E 6 ), et E S aux électrons secondaires réémis par l’échantillon. Nousconstatons que plus le potentiel de garde est négatif par rapport au potentiel de l’échantillon, etplus la réémission de secondaires est « électrostatiquement » défavorisée.Cet effet peut cependant être diminué en travaillant avec des diaphragmes (situés sur le porteéchantillon) de grande ouverture. Il est par conséquent avantageux de disposer d’échantillons degrande surface. En pratique nous avons utilisé des diaphragmes en or de diamètre d’ouvertureΦ= 3 mm.2.B.5.3. Asymétries instrumentalesUne étude complète des asymétries instrumentales a été effectuée. Nous rappelons ici brièvement lesrésultats importants de cette étude.De façon générale, ces asymétries instrumentales sont gênantes pour la mesure des « vraies »asymétries liées au phénomène de filtre à spin qui sont de l’ordre de 10 -3 .Ces asymétries instrumentales sont de deux natures : Optique. Lorsque l’on change la polarisation des électrons incidents via la cellule de Pockels,le point d’émission des électrons photo-émis, et donc, le courant peut changer et induire desasymétries de courants collectés. Magnétique. Lorsque l’on applique des pulses de champs magnétiques, l’environnementmagnétique autour du faisceau d’électrons change et conduit à une modulation de la collectiondans le SC.Ces asymétries sont définies de la façon suivante :83