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Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

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Chapitre IV – Réalisation d’un transistor à vanne <strong>de</strong> spin sous ultra-vi<strong>de</strong>.Fig. IV.15 : Courant total collecté <strong>par</strong> le porte échantillon, dans le mo<strong>de</strong> où V G = – V 0 , avec V 0 =2, 9, 18 et 29 V. L’astérisque pour V* G = -29 V fait référ<strong>en</strong>ce à une mesure où nous avons, pourchaque t<strong>en</strong>sion, optimisé le courant collecté. Cette courbe est très <strong>proche</strong> <strong>de</strong> celle oùl’optimisation a été faite à une seule t<strong>en</strong>sion.En conclusion, le mo<strong>de</strong> qui limite le plus efficacem<strong>en</strong>t la réémission <strong>de</strong> secondaires est celui où lepot<strong>en</strong>tiel <strong>de</strong> gar<strong>de</strong> est constant et le plus négatif. Nous avons pris pour la valeur du pot<strong>en</strong>tiel <strong>de</strong>gar<strong>de</strong> V G = -29 V pour l’<strong>en</strong>semble <strong><strong>de</strong>s</strong> expéri<strong>en</strong>ces 7 .Ce mo<strong>de</strong> définit <strong>par</strong> ailleurs un régime <strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t où l’optimum <strong>de</strong> transmission àtravers l’échantillon est très peu dép<strong>en</strong>dant <strong>de</strong> l’énergie d’injection.Ceci nous permet <strong>de</strong> faire <strong>de</strong> mesures <strong>en</strong> continu, sans optimisation à chaque énergie d’injection.Enfin, signalons que ce mo<strong>de</strong> <strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t prés<strong>en</strong>te toutefois <strong><strong>de</strong>s</strong> limites. En effet, lessimulations prédis<strong>en</strong>t que même pour une t<strong>en</strong>sion <strong>de</strong> gar<strong>de</strong> <strong>de</strong> -29V, il existe toujours <strong><strong>de</strong>s</strong> électronsréémis. Une gran<strong>de</strong> majorité <strong>de</strong> ces électrons sont émis dans le vi<strong>de</strong>, puis recollectés <strong>par</strong> le porteéchantillon (<strong>en</strong> réalité <strong>par</strong> le diaphragme du porte échantillon). Cep<strong>en</strong>dant, ces électrons ne sont pastous collectés <strong>par</strong> l’échantillon lui-même, <strong>de</strong> sorte qu’une <strong>par</strong>tie <strong><strong>de</strong>s</strong> électrons injectés ne contribue pasà la transmission à travers l’échantillon. Indép<strong>en</strong>damm<strong>en</strong>t <strong>de</strong> la qualité <strong>de</strong> l’échantillon, ce phénomènepeut biaiser les mesures <strong>de</strong> transmission.7 Nous pourrions <strong>en</strong> principe choisir une t<strong>en</strong>sion arbitrairem<strong>en</strong>t négative. Cep<strong>en</strong>dant expérim<strong>en</strong>talem<strong>en</strong>t nousobservons que pour une t<strong>en</strong>sion inférieure à -33 V, le courant injecté <strong>de</strong>vi<strong>en</strong>t brusquem<strong>en</strong>t nul. Encore une fois,les simulations nous ont permis <strong>de</strong> compr<strong>en</strong>dre ce résultat. En effet, lorsque la t<strong>en</strong>sion <strong>de</strong> la gar<strong>de</strong> est tropnégative, les lignes <strong>de</strong> <strong>champ</strong> pince le faisceau d’électrons jusqu’à le couper. Pour un pot<strong>en</strong>tiel <strong>de</strong> gar<strong>de</strong> donné, ilsera alors possible <strong>de</strong> détecter un courant sur l’échantillon qu’à <strong>par</strong>tir d’une t<strong>en</strong>sion minimale, supérieure autravail <strong>de</strong> sortie du métal <strong>de</strong> recouvrem<strong>en</strong>t. Pour une t<strong>en</strong>sion <strong>de</strong> gar<strong>de</strong> <strong>de</strong> -29 V, nous mesurons un t<strong>en</strong>sionminimale d’injection <strong>de</strong> 1.2 V, soit une énergie minimale d’injection <strong>de</strong> 6 eV (pour un travail <strong>de</strong> sortie <strong>de</strong> l’Au<strong>de</strong> 4.8 eV).82

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