Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

Chapitre IV – Réalisation d’un transistor à vanne de spin sous ultra-vide.EPλ ⎡ R cosθ⎤δ ≈ B ⎢1− exp( − )E R cosθ⎣ λ ⎥d⎦avec B, E P , E d , R, θ, λ, respectivement la probabilité d’échappement d’un électron à la surface,l’énergie de l’électron incident, l’énergie moyenne nécessaire à produire un électron secondaire, lalongueur de pénétration pour créer un électron secondaire, l’angle de réémission, et le libre parcoursmoyen inélastique à l’énergie E 0 .Fig. IV.13 : Courant total collecté par le porte échantillon, dans le mode où V G = V éch – V 0 , avecV 0 = 0, 9, 18 et 26 V.Pour les énergies qui nous intéressent, on a R cosθ