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Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

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Chapitre IV – Réalisation d’un transistor à vanne <strong>de</strong> spin sous ultra-vi<strong>de</strong>.2.B.5.1. R<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>t <strong>de</strong> l’optique électroniqueNous prés<strong>en</strong>tons sur la figure (Fig.IV.11), une courbe <strong>de</strong> distribution <strong>en</strong> énergie (EDC) <strong><strong>de</strong>s</strong> électronsphoto-émis <strong>par</strong> la source d’électrons. Cette EDC est mesurée sur l’échantillon, <strong>en</strong> mo<strong>de</strong> cage <strong>de</strong>Faraday, et pour une résolution du sélecteur <strong>de</strong> 200 meV. Nous voyons que le r<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>t <strong>de</strong>l’<strong>en</strong>semble <strong>de</strong> l’optique est relativem<strong>en</strong>t faible, <strong>de</strong> l’ordre <strong>de</strong> 5%. Expérim<strong>en</strong>talem<strong>en</strong>t, on constate,qu’il est possible d’avoir <strong><strong>de</strong>s</strong> r<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>ts <strong>de</strong> transmission plus importants (10%), mais il faut alorsdiaphragmer davantage la source. La résolution mesurée, légèrem<strong>en</strong>t supérieure à 200 meV, est laconvolution <strong>de</strong> la résolution du spectromètre avec la largeur <strong>de</strong> la distribution <strong>de</strong> la source, qui est dumême ordre <strong>de</strong> gran<strong>de</strong>ur.Fig. IV. 11 : Courbe <strong>de</strong> distribution <strong>en</strong> énergie (EDC) <strong><strong>de</strong>s</strong> électrons photo-émis <strong>par</strong> la sourceGaAs. Le courant a été mesuré sur l’échantillon, <strong>en</strong> mo<strong>de</strong> cage <strong>de</strong> Faraday. De la relation (IV.1),on déduit pour un travail <strong>de</strong> sortie <strong>de</strong> l’Au <strong>de</strong> 4.8 eV, ≈ 1.2 eV.2.B.5.2. Propriétés <strong>de</strong> focalisation78Φ cathNous allons maint<strong>en</strong>ant prés<strong>en</strong>ter les propriétés <strong>de</strong> focalisation <strong>de</strong> l’<strong>en</strong>semble <strong>de</strong> l’optiqueélectronique. Nous avons étudié ces propriétés selon <strong>de</strong>ux métho<strong><strong>de</strong>s</strong>.2.B.5.2.1. Caractérisation optiqueLa première est « optique ». Elle consiste à déposer sur le porte échantillon un écranphosphoresc<strong>en</strong>t à la place <strong>de</strong> l’échantillon et à mesurer l’int<strong>en</strong>sité lumineuse émise à l’ai<strong>de</strong> d’unecaméra CCD (Watek 902B). Nous avons alors étudié le déplacem<strong>en</strong>t du spot lumineux pourdiffér<strong>en</strong>tes énergies d’injection, lorsque les pot<strong>en</strong>tiels <strong><strong>de</strong>s</strong> optiques sont <strong>proche</strong>s <strong><strong>de</strong>s</strong> pot<strong>en</strong>tielsthéoriques. Elle a montré que le spot est bi<strong>en</strong> décrit <strong>par</strong> une forme gaussi<strong>en</strong>ne avec pour largeurà mi hauteur 300 μm. Ce spot dévie avec la t<strong>en</strong>sion appliquée d’<strong>en</strong>viron 300 μm lorsque le pot<strong>en</strong>tiel<strong>de</strong> l’échantillon passe <strong>de</strong> 10 à 3000 eV. Cette déviation n’est <strong>en</strong> principe pas critique si l’échantillonest macroscopiquem<strong>en</strong>t homogène. Par contre, si celui-ci prés<strong>en</strong>te <strong><strong>de</strong>s</strong> inhomogénéitésmacroscopiques, la transmission dans le SC, ainsi que l’effet <strong>de</strong> filtre à spin pourra alors dép<strong>en</strong>dre <strong><strong>de</strong>s</strong>réglages <strong>de</strong> l’optique.2.B.5.2.2. Caractérisation électrostatiqueLa <strong>de</strong>uxième étu<strong>de</strong> m<strong>en</strong>ée pour caractériser les propriétés <strong>de</strong> focalisation a porté sur l’étu<strong>de</strong> ducourant total collecté sur l’échantillon, <strong>en</strong> fonction du pot<strong>en</strong>tiel V G <strong>de</strong> gar<strong>de</strong>. Nous avons déjà soulignéque la prés<strong>en</strong>ce d’un cylindre <strong>de</strong> gar<strong>de</strong>, implique que celui-ci doit être considéré comme une électro<strong>de</strong>à <strong>par</strong>t <strong>en</strong>tière. Il est <strong>par</strong> conséqu<strong>en</strong>t important <strong>de</strong> quantifier son influ<strong>en</strong>ce, et <strong>de</strong> déterminer un régime<strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t qui assure <strong>de</strong> bonnes propriétés <strong>de</strong> focalisation sur l’<strong>en</strong>semble <strong>de</strong> la gamme sondée.

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