31.07.2015 Views

Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Chapitre IV – Réalisation d’un transistor à vanne <strong>de</strong> spin sous ultra-vi<strong>de</strong>.cette relation fixe <strong>par</strong> conséqu<strong>en</strong>t les pot<strong>en</strong>tiels V I et V E . Pour le fonctionnem<strong>en</strong>t <strong>de</strong> notre instrum<strong>en</strong>t,nous avons choisi un pot<strong>en</strong>tiel V A = 5 V.Cette énergie détermine égalem<strong>en</strong>t la résolution du spectromètre. Celle-ci est reliée simplem<strong>en</strong>t àl’énergie d’analyse et aux gran<strong>de</strong>urs géométriques du sélecteur [Drouhin86] :ΔE s =EAR ALa résolution du spectromètre utilisée pour cette expéri<strong>en</strong>ce est alors <strong>de</strong> 200 meV.Compte t<strong>en</strong>u <strong><strong>de</strong>s</strong> énergies sondées et <strong>de</strong> l’objectif <strong>de</strong> notre expéri<strong>en</strong>ce, cette résolution n’est ici pascritique. Une faible résolution permet <strong>par</strong> ailleurs d’avoir plus <strong>de</strong> courant injecté sur l’échantillon, etd’éviter le transport d’électrons <strong>de</strong> trop basse énergie dans le sélecteur.2.B.3. L’optique <strong>de</strong> sortie et le porte échantillonLe rôle <strong>de</strong> l’optique <strong>de</strong> sortie est <strong>de</strong> focaliser le faisceau d’électrons qui sort du sélecteur versl’échantillon.Le sélecteur électrostatique n’ayant <strong><strong>de</strong>s</strong> propriétés <strong>de</strong> focalisation que dans une seule direction, lespectromètre dans son <strong>en</strong>semble délivre <strong>de</strong>ux images distinctes <strong>de</strong> la source à électrons : une imagedite « verticale » et une image dite « horizontale ». L’image horizontale coïnci<strong>de</strong> avec la f<strong>en</strong>te <strong><strong>de</strong>s</strong>ortie du sélecteur, alors que l’image verticale se situe <strong>en</strong> amont. L’optique <strong>de</strong> sortie permet, <strong>par</strong>l’utilisation originale <strong>de</strong> l<strong>en</strong>tilles rectangulaires, <strong>de</strong> faire coïnci<strong>de</strong>r ces <strong>de</strong>ux objets <strong>en</strong> une même imagesur le diaphragme <strong>de</strong> sortie <strong>de</strong> cette optique [Houdré85]. Ce diaphragme ap<strong>par</strong>ti<strong>en</strong>t à la <strong>de</strong>rnièreélectro<strong>de</strong> <strong>de</strong> l’optique <strong>de</strong> sortie, et sera nommé <strong>par</strong> la suite E 6 .Afin <strong>de</strong> pouvoir régler <strong>de</strong> façon indép<strong>en</strong>dante le pot<strong>en</strong>tiel <strong>de</strong> l’échantillon du pot<strong>en</strong>tiel du diaphragme<strong>de</strong> sortie E 6 , et <strong>par</strong> conséqu<strong>en</strong>t <strong>de</strong> travailler dans une configuration où les pot<strong>en</strong>tiels <strong>de</strong> l’optique <strong><strong>de</strong>s</strong>ortie sont constants quelque soit l’énergie d’injection, le porte échantillon a été découplé <strong>de</strong> cette<strong>de</strong>rnière électro<strong>de</strong>.En pratique, l’électro<strong>de</strong> E 6 est prolongée <strong>par</strong> un cylindre <strong>de</strong> gar<strong>de</strong> amagnétique sur lequel repose leporte échantillon (Fig.IV.10).Le rôle <strong>de</strong> la gar<strong>de</strong> est multiple :Maint<strong>en</strong>ir mécaniquem<strong>en</strong>t le porte échantillon.Former une nouvelle électro<strong>de</strong> <strong>en</strong>tre E 6 et le porte échantillon. Pour cela, la gar<strong>de</strong> doit êtreisolée électriquem<strong>en</strong>t <strong>de</strong> E 6 et du porte échantillon. Elle est isolée <strong>de</strong> E 6 via <strong><strong>de</strong>s</strong> billes <strong>de</strong> saphir<strong>de</strong> diamètre 1.6 mm. L’isolation électrique du porte échantillon est assurée <strong>par</strong> une bague <strong>en</strong>céramique. Celle-ci permet d’une <strong>par</strong>t d’accepter <strong><strong>de</strong>s</strong> différ<strong>en</strong>ces <strong>de</strong> t<strong>en</strong>sion supérieures à 3000V, et d’autre <strong>par</strong>t a été usinée afin <strong>de</strong> donner à l’<strong>en</strong>semble {gar<strong>de</strong>+porte échantillon} unebonne t<strong>en</strong>ue mécanique.Former une cage <strong>de</strong> Faraday, afin <strong>de</strong> récupérer tous les électrons qui ne sont pas injectés surl’échantillon. Cela évite ainsi l’ajout <strong>de</strong> courants <strong>par</strong>asites au courant collecté <strong>en</strong> face arrière<strong>de</strong> l’échantillon.Le porte échantillon a été conçu et élaboré p<strong>en</strong>dant la thèse <strong>de</strong> Nicolas Rougemaille [Rougemaille03]et obéit à un certains nombre <strong>de</strong> critères : Permettre une excell<strong>en</strong>te prise <strong>de</strong> contact électrique sur les <strong>de</strong>ux faces <strong>de</strong> l’échantillon sansdétériorer la couche nanométrique située <strong>en</strong> face avant. Isoler <strong>par</strong>faitem<strong>en</strong>t les <strong>de</strong>ux faces <strong>de</strong> l’échantillon, afin <strong>de</strong> limiter à nouveau d’év<strong>en</strong>tuelsproblèmes liés à <strong><strong>de</strong>s</strong> courants <strong>par</strong>asites. Etre rigoureusem<strong>en</strong>t amagnétique.D’un point <strong>de</strong> vue électrostatique, l’<strong>en</strong>semble peut <strong>par</strong> conséqu<strong>en</strong>t être décrit <strong>par</strong> trois pot<strong>en</strong>tielsdiffér<strong>en</strong>ts : le pot<strong>en</strong>tiel V 6 du diaphragme <strong>de</strong> l’optique <strong>de</strong> sortie, le pot<strong>en</strong>tiel V G du cylindre <strong>de</strong>gar<strong>de</strong>, et <strong>en</strong>fin le pot<strong>en</strong>tiel V ech appliqué à l’échantillon.Le pot<strong>en</strong>tiel V 6 étant <strong>de</strong> 40 V, l’action <strong><strong>de</strong>s</strong> <strong>de</strong>ux autres pot<strong>en</strong>tiels sur les propriétés <strong>de</strong> focalisation seradiscutée au <strong>par</strong>agraphe 2.B.5.2.76

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!