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Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

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Chapitre IV – Réalisation d’un transistor à vanne <strong>de</strong> spin sous ultra-vi<strong>de</strong>.Fig. IV.5 : A gauche : cartographie <strong>en</strong> température <strong>de</strong> la source pour un chauffage moy<strong>en</strong> à570°C (le cercle représ<strong>en</strong>te la zone moy<strong>en</strong>née <strong>par</strong> le pyromètre optique). Le courant circuleverticalem<strong>en</strong>t. Cette mesure est issue d’une calibration int<strong>en</strong>sité lumineuse-température, oùl’int<strong>en</strong>sité lumineuse a été mesurée à l’ai<strong>de</strong> d’une caméra CCD. A droite : procédured’activation <strong>de</strong> la source GaAs. Le r<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>t <strong>en</strong> fin d’activation est <strong>de</strong> l’ordre <strong>de</strong> quelquespourc<strong>en</strong>ts.Pour l’expéri<strong>en</strong>ce décrite ici, nous avons utilisé un laser à la fréqu<strong>en</strong>ce hν = 1.58 eV (condition <strong>de</strong>pompage optique) pour une puissance <strong>de</strong> 1 mW. Nous obt<strong>en</strong>ons typiquem<strong>en</strong>t après activation <strong><strong>de</strong>s</strong>courants <strong>de</strong> quelques μA.La polarisation circulaire <strong>de</strong> la lumière est obt<strong>en</strong>ue <strong>par</strong> la combinaison d’un polariseur linéaire et d’unecellule <strong>de</strong> Pockels 3 . L’<strong>en</strong>semble est disposé sur un banc optique permettant <strong>de</strong> contrôler la position dulaser <strong>par</strong> rapport à la source. Ce type <strong>de</strong> modulateur peut <strong>en</strong> principe être modulé à <strong>de</strong> très hautesfréqu<strong>en</strong>ces. Cep<strong>en</strong>dant, dans notre cas, nous avons travaillé à <strong><strong>de</strong>s</strong> fréqu<strong>en</strong>ces <strong>de</strong> l’ordre <strong>de</strong> la c<strong>en</strong>taine<strong>de</strong> Hz. Au total, on obti<strong>en</strong>t ainsi une polarisation modulée d’amplitu<strong>de</strong> P 0 = ± 25%.Précisons qu’il est existe à l’heure actuelle <strong><strong>de</strong>s</strong> sources à électrons exhibant <strong><strong>de</strong>s</strong> polarisations <strong>proche</strong>s<strong>de</strong> 100%. Cela est possible <strong>en</strong> levant la dégénéresc<strong>en</strong>ce <strong><strong>de</strong>s</strong> trous lourds et <strong><strong>de</strong>s</strong> trous légers <strong>de</strong> la ban<strong>de</strong>Γ 8 (p 3/2 ). En pratique l’utilisation d’un cristal <strong>de</strong> GaAs contraint <strong>par</strong> <strong><strong>de</strong>s</strong> super-réseaux GaAs-In 0.2 Al 0.21 Ga 0.59 As permet d’atteindre <strong><strong>de</strong>s</strong> polarisations <strong>de</strong> l’ordre <strong>de</strong> 80% pour une excitation autour <strong>de</strong>870 nm (Fig. IV.6).Fig. IV.6 : [source Youri Mamaev]. R<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>t quantique et polarisation d’un super réseauGaAs-In 0.2 Al 0.21 Ga 0.59 As (18 fois) <strong>en</strong> fonction <strong>de</strong> l’énergie d’excitation. (cercles) La source a étéchauffée à 540 °C, et à 570°C (triangles).3 Une cellule <strong>de</strong> Pockels est un modulateur optique dont il est possible <strong>de</strong> changer la biréfring<strong>en</strong>ce <strong>par</strong> simpleapplication d’un <strong>champ</strong> électrique transverse au cristal (typiquem<strong>en</strong>t une c<strong>en</strong>taine <strong>de</strong> volts).72

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