Etudes par microscopie en champ proche des phÃ©nomÃ¨nes de ...

More documents

Recommendations

Info

$G. M. Zaslavsky, Chaos, fractional kinetics, and anomalous transport ...$

Chapitre III – Réalisation et caractérisations d’un filtre à spin MF/SCjustifiées, car cette barrière dépend de la tension, et donc du choix de la méthode employée. En effet,lorsque les facteurs d’idéalité deviennent supérieurs à 1 de plusieurs pourcents (n>1.1), à l’émissionthermoionique viennent s’ajouter d’autres mécanismes de transport, de sorte qu’il devient illusoire decaractériser nos diodes uniquement par la barrière φ B , comme le montre la dernière colonne du(Tab.III.2). Par exemple, pour la passivation à l’hydrazine, la résistance à V = 0 semble être indépendantede la hauteur de barrière de Schottky.T recuit = 150°C J SAT (A/cm²) φ B (eV) N R 0 (kΩ) R 0 sJ SATPassivation HClS = 0.3 (cm²) (2.7 ± 0.5) 10 -5 0.635 ± 0.014 1.23 ± 0.08 12 ± 8 0.097S = 0.1 (cm²) (1.52 ± 1.28) 10 -6 0.69 ± 0.025 1.10 ± 0.08 532 ± 250 0.081S = 0.03 (cm²) (1.03 ± 2.62).10 -6 0.74 ± 0.08 1.10 ± 0.07 1360 ± 737 0.042PassivationHydrazineS = 0.3 (cm²) (1.97 ± 2.06).10 -6 0.69 ± 0.03 1.18 ±0.04 283 ± 200 0.167S = 0.03 (cm²) (1.46 ± 2.27).10 -5 0.66 ± 0.084 1.12 ± 0.04 1140 ± 900 0.5Tab. III.2 : Récapitulatif des paramètres des filtres à spin pour les deux types de traitement desurface (HCl et hydrazine) pour trois surfaces différentes. Ces échantillons ont été recuits à 150°C.Fig III.9 : Influence de la surface sur les caractéristiques électriques des diodes. A gauche. CourbesI-V pour deux échantillons de surface S = 0.3 cm² et S = 0.03 cm² avec traitement de surface à HClet recuits à 150°C. A droite, courbe I-V pour une passivation à l’hydrazine pour ces deux mêmessurfaces. En insert, représentation en échelles linéaires.3.D.2. Interprétation des courbes I-V et C-V en fonction du type de passivationNous allons dans ce paragraphe donner quelques éléments pour comprendre l’origine physique del’influence du recuit sur les propriétés électriques. Notre objectif ici n’est pas de donner une descriptionprécise des mécanismes de transport responsables de ces anomalies ; une telle étude sortirait du cadre dece travail et mériterait une étude spécifique. Nous espérons juste cerner l’origine physique des anomaliesobservées afin de mieux caractériser l’action des passivations ou traitements de surface sur les propriétésélectriques de nos filtres à spin.54
Chapitre III – Réalisation et caractérisations d’un filtre à spin MF/SCNous avons tracé sur la figure (Fig.III.10) les courbes C-V et 1/C 2 -V pour un traitement à l’hydrazine, àHCl et, à titre de comparaison avec le procédé UVOCS (ces échantillons ont été recuits à 150°C).On peut montrer que la capacité surfacique d’une diode Schottky en polarisation inverse est donnée par larelation [Rhoderick78] suivante :⎛ qε0ε NC = ⎜ r⎝ 2D12⎞⎟⎠⎡⎢V⎣0−V−kTq⎤⎥⎦1−2(III. 8)avec V 0 définie comme la hauteur de courbure de bande dans le SC à polarisation nulle, εrla constantekT NCdiélectrique relative du GaAs ( εr= 11. 7 ). On a par conséquentφ B= V 0+ ξ , où ξ = ln( ) avecq NDN C = 4.10 17 cm -3 dans le GaAs. ξ est la différence entre la bas de la bande de conduction et le niveau deFermi et vaut dans notre cas ξ = 77 meV. En particulier, on déduit que :1 2kT= ( V0−V− )2C qε0εrNDq1Pour des polarisations négatives,2C est par conséquent une droite de pente 2p = − (III. 9) etqε 0εrNDl’extrapolation de cette fonction à ordonnée nulle nous donne une tension Vφliée à la hauteur de barrièreselon :kTφB = Vφ+ ξ + = Vφ+ 0.103(III. 10)qFig. III.10 : (à gauche) Capacité (F/cm²) mesurée pour les trois types de traitement de surface enfonction de la tension appliquée à la diode. Les mesures ont été effectuées à la fréquence de 1kHz.A droite : courbe 1/C² en fonction de la tension appliquée pour la passivation à l’UVOCS (carrés), etpour la passivation à l’hydrazine (cercle). L’extrapolation de la courbe (pour les potentiels négatifs)à ordonnée nulle donne Vφ= 0.68 V pour la passivation à l’UVOCS, et Vφ= 4.4 V pour la passivationà l’hydrazine.55
Page 3 and 4:
RésuméDRISS LAMINEEffet de filtre
Page 5 and 6:
AbstractDRISS LAMINESpin filter eff
Page 7 and 8:
RemerciementsRemerciementsJ’ai r
Page 9 and 10:
Table des matièresTABLE DES MATIER
Page 11 and 12:
Table des matières4.A. Notion de r
Page 13 and 14:
PréambuleChapitre IPréambuleL’u
Page 15 and 16: PréambuleRougemaille03 : Rougemail
Page 17 and 18: Chapitre II - Concepts généraux a
Page 21: Chapitre II - Concepts généraux a
Page 50 and 51: Chapitre III - Réalisation et cara
Page 78 and 79: Chapitre IV - Réalisation d’un t
Page 116 and 117:
Chapitre IV - Réalisation d’un t
Page 118 and 119:
Page 120 and 121:
Page 122 and 123:
Chapitre V - Modélisation du trans
Page 124 and 125:
Page 126 and 127:
Page 128 and 129:
Page 130 and 131:
Page 132 and 133:
Page 134 and 135:
Page 136 and 137:
Page 138 and 139:
Page 140 and 141:
Page 142 and 143:
Page 144 and 145:
Page 146 and 147:
Page 148 and 149:
Page 150 and 151:
Page 152 and 153:
Page 154 and 155:
Page 156 and 157:
Page 158 and 159:
Page 160 and 161:
Page 162 and 163:
Page 164 and 165:
Page 166 and 167:
Conclusion et perspectivesFig.VI.1
Page 168 and 169:
156Conclusion et perspectives
Page 170 and 171:
BibliographieHopster83 : Hopster et
Page 172 and 173:
BibliographieWeber01 : Weber W. et
Page 174 and 175:
BibliographiePierce75 :Pierce D.T e
Page 176 and 177:
164Bibliographie
Page 178 and 179:
166
Page 180 and 181:
2ing spin-polarized electrons decre
Page 182 and 183:
4sample potential. The variations o
Page 184 and 185:
6component v l , and an electron of
Page 186 and 187:
secondary electrons. Because of the
Page 188 and 189:
10energy is due to the increasing p
Page 190 and 191:
12APPENDIX A: VARIATION OF THE ELEC
Page 192 and 193:
14multiplication. The variation of
Page 194:
182
show all

Etudes par microscopie en champ proche des phÃ©nomÃ¨nes de ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?