Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

Chapitre III – Réalisation et caractérisations d’un filtre à spin MF/SCFig. III.8 : Influence de la température de recuit sur les propriétés électriques des diodes. En haut :courbe I-V pour un échantillon non recuit et recuit à 150°C passivé à HCl. En bas : courbe I-V pourun échantillon non recuit et recuit à 150°C passivé à l’hydrazine.Pour la passivation à HCl les courants de saturation, normalisés à la surface de la diode, augmentent avecla surface. De même le produit R 0 SJ SAT s’éloigne de la valeur théorique 0.025. Il y a donc« dégradation » des propriétés électriques (présence de courant de fuite) avec l’augmentation de lasurface latérale de la jonction. De fait, nous avons rencontré beaucoup de difficultés à obtenir deséchantillons de surface S = 0.3 cm² reproductibles avec un traitement à HCl. Ce résultat peut s’expliquerpar l’existence de défauts micro/macroscopiques du wafer de GaAs (qui nous le rappelons ne bénéfice pard’une reprise d’épitaxie) et par l’action du traitement de surface : un traitement à HCl désoxyde la surfacede GaAs, mais ne passive pas les défauts électroniques de surface.Pour la passivation à l’hydrazine, où la statistique est moins importante, les résultats ne montrent pas desensibilité particulière à la surface. Cependant, nous observons un écart type important sur les mesures decourant de saturation même pour des échantillons de petites surfaces. Par ailleurs, précisons que lesvaleurs des barrières de Schottky déduite à partir de la fonction de Rhoderick ne sont plus véritablement53