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Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

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Chapitre III – Réalisation et caractérisations d’un filtre à spin MF/SCPour l’étu<strong>de</strong> <strong><strong>de</strong>s</strong> propriétés électriques <strong>de</strong> nos filtres à spin, il nous a semblé pertin<strong>en</strong>t <strong>de</strong> définir quatre<strong>par</strong>amètres : la courant <strong>de</strong> saturation « J SAT » (III.1b) qui nous donne <strong><strong>de</strong>s</strong> informations sur le courant <strong>en</strong>inverse. Nous verrons au chapitre IV que ce courant joue un rôle important dans lesperformances du filtre à spin <strong>en</strong> terme <strong>de</strong> rapport signal sur bruit.⎛ dV ⎞ La résistance dynamique R0= ⎜ ⎟ mesurée à V autour <strong>de</strong> zéro. Comme nous le verrons au⎝ dI ⎠V= 0chapitre suivant, cette résistance est liée au bruit Johnson d’origine thermique <strong>de</strong> la jonction. La barrière <strong>de</strong> Schottky « φ B », qui caractérise la hauteur <strong>de</strong> barrière d’interface. Le facteur d’idéalité « n », qui nous r<strong>en</strong>seigne sur la déviation <strong>par</strong> rapport à un transport purem<strong>en</strong>tthermoionique.Pour une jonction idéale (comme nous allons le voir pour la passivation UVOCS), seule la connaissance<strong>de</strong> la hauteur <strong>de</strong> barrière <strong>de</strong> Schottky suffit, car l’<strong>en</strong>semble <strong><strong>de</strong>s</strong> <strong>par</strong>amètres introduits plus haut est alors2kτdéterminé <strong>par</strong> cette hauteur <strong>de</strong> barrière ( JSAT= A*τ e , R0 J SATS = où S est la surface du filtreeà spin etτ la température). Pour <strong><strong>de</strong>s</strong> jonctions où d’autres mécanismes <strong>de</strong> transport intervi<strong>en</strong>n<strong>en</strong>t, ces<strong>par</strong>amètres <strong>de</strong>vi<strong>en</strong>n<strong>en</strong>t <strong>en</strong> général indép<strong>en</strong>dants.Nous allons maint<strong>en</strong>ant décrire les métho<strong><strong>de</strong>s</strong> que nous avons utilisées pour déduire <strong><strong>de</strong>s</strong> mesuresélectriques les <strong>par</strong>amètres introduits plus haut, <strong>en</strong> y incluant égalem<strong>en</strong>t la résistance série.Les relations (III.1), (III.2) et (III.3) permett<strong>en</strong>t <strong>de</strong> réécrire la d<strong>en</strong>sité <strong>de</strong> courant sous la forme :qφB0−kτeVeff⎛ e Veff⎞⎜−⎟J = Jnkτ ⎜+ kτSAT e 1 e⎟(III.4)⎝ ⎠On définit la fonction <strong>de</strong> Rho<strong>de</strong>rickaffine et s’écrit sous la forme :JRh(V ) = ln. Compte t<strong>en</strong>u <strong>de</strong> (III.4) cette fonction estT ²(1 − eRh(V ) = ln A*eV eff−kτqφ−kτ)B+qVnkτL’ordonnée à l’origine <strong>de</strong> cette fonction donne ainsi la hauteur <strong>de</strong> barrière φ B0 et sa p<strong>en</strong>te le facteurd’idéalité n. Pour remonter à la résistance série, on se place dans le cas d’un fort courant (V>> nkτ/e) et larelation (III.4) se réécrit sous la forme :On déduit alors :J = JSATee( V −RSi)nkτdV nkτ= + Rd ln( I)eSIdVLa fonction = f ( I)est alors une fonction affine <strong>de</strong> p<strong>en</strong>te RS .d ln( I)46

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