Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

Chapitre III – Réalisation et caractérisations d’un filtre à spin MF/SCFig.III.2 : d’après [Xu98]. Dépendance de l’intensité MOKE, et du champ coercitif en fonction del’épaisseur de Fe déposée à température ambiante sur GaAs[001] (4x6). La phase I est identifiée parles auteurs à une phase superparamagnétique (il n’y a pas encore coalescence des îlots), et les phasesII et III, sont assimilées à une phase ferromagnétique. En dessous de 3 MC, le film est nonmagnétique.Ces résultats ont été confirmés un peu plus tard par des mesures d’absorption de rayons X polarisés(XMCD) au seuil L 2,3 du fer sur des couches minces de Fe (0.25-1 MC) déposées à température ambiante[Claydon04]. Les auteurs montrent qu’il n’y a pas de réduction du moment magnétique de spin àl’interface.Compte tenu de l’ensemble de ces observations, nous avons décidé de réaliser nos dépôts àtempérature ambiante.2.B. Protocole expérimental2.B.1. Fabrication des échantillonsLa réalisation des échantillons Fe/GaAs a été faite au laboratoire dans une enceinte compatible ultra vide.Cette enceinte se compose de deux sous enceintes ultra-vide couplées par une vanne d’isolement (Fig.III.3 (gauche)) : Un sas d’introduction des échantillons couplée à une boite à gants où règne uneatmosphère d’azote neutre. Une enceinte d’évaporation. Cette enceinte est équipée de deux cellules de Knudsen (Pd(creuset conçu au laboratoire) et Fe (creuset Méca2000)).Le flux de la cellule est contrôlé par une micro-balance à quartz. L’angle d’évaporation est de 45° et ladistance séparant l’échantillon des creusets est d’environ 30 cm. L’échantillon est fixé par deux barrettesisolées électriquement sur un porte échantillon en tantale lui-même isolé électriquement. L’ensemble esttransférable au moyen d’une canne de transfert magnétique du sas d’introduction à l’enceinted’évaporation [Drouhin89]. Le porte échantillon est alors fixé sur un bras manipulateur qui possède pourdegrés de liberté un axe de rotation (Oz) et une translation selon (Oz). Il peut être chauffé en principejusqu’à 1000 K et refroidi à 120 K. La température est contrôlée par une résistance platine. Un système42