Etudes par microscopie en champ proche des phÃ©nomÃ¨nes de ...

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$G. M. Zaslavsky, Chaos, fractional kinetics, and anomalous transport ...$

Chapitre II – Concepts généraux autour de l’électronique de spinet se situe typiquement autour du point A de la figure (Fig.II.14) (pour une énergie moyenneεP= 100 meV et une hauteur de barrière de 0.7 eV).Au-delà l’énergie moyenne augmente et il devient possible de sonder les propriétés du filtre à spin.Fig.II.14 : Représentation de ΔTen fonction du rapport des énergiesκ . La point A est un pointtypique de fonctionnement du filtre à spin à basse énergie d’injection (
Chapitre III – Réalisation et caractérisations d’un filtre à spin MF/SCChapitre IIIRéalisation et caractérisations d’un filtre à spin MF/SCDans ce troisième chapitre sont décrites les méthodes d’élaboration et decaractérisations (électriques et magnétiques) des différentes jonctions métalferromagnétique / semi-conducteur dans lesquelles le transport d’électrons polarisésa été étudié. Dans les structures du type Pd/Fe/oxyde/GaAs, la couche de fer est le filtre àspin, la couche de palladium sert à protéger le fer contre l'oxydation. La couche d'oxyde,obtenue par oxydation du GaAs confère à la jonction d’excellentes propriétés électriques. Lesubstrat semi-conducteur de GaAs joue le rôle de collecteur du courant transmis. Pour mettreen évidence les effets d’interface, des échantillons sans couche d’oxyde ont été préparés : desjonctions Pd/Fe/GaAs et Au/Co/Au/Si. Du point de vue du transport d’électrons chauds, cesjonctions sont caractérisées par la barrière de Schottky à l’interface métal/semi-conducteur(de hauteur typique 0.70 eV). La préparation des échantillons Pd/Fe/GaAs a nécessité la miseau point d’une procédure spécifique de passivation de la surface de GaAs préalable au dépôtmétallique. Les jonctions Au/Co/Au/Si ont été obtenues par dépôt électrochimique.37
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