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Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

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Chapitre II – Concepts généraux autour <strong>de</strong> l’électronique <strong>de</strong> spinFig.II.7 : d’après [Jans<strong>en</strong>03]. A gauche : Diagramme d’énergie d’un SVT. A droite : Courantcollecté I C <strong>en</strong> fonction du <strong>champ</strong> magnétique appliqué avec une source Si(100), un collecteurSi(111) et une base Pt(2nm)/NiFe(3nm)/Au(3.5nm)/Co(3nm)/Au(4nm) ; I E = 2 mA ; V BC = 0 et T =295 K. I E désigne le courant injecté.Ces MTT exist<strong>en</strong>t sous <strong>de</strong>ux versions légèrem<strong>en</strong>t différ<strong>en</strong>tes : soit l’émetteur est non magnétique, etdans ce cas la base est constituée d’une bicouche magnétique (Fig.II.8), soit l’émetteur estmagnétique, et dans ce cas la base est formée d’une seule couche magnétique. Les <strong>de</strong>ux prés<strong>en</strong>tant <strong><strong>de</strong>s</strong>performances similaires.L’étu<strong>de</strong> <strong><strong>de</strong>s</strong> MTT s’est avérée plus riche et plus prometteuse que celle <strong><strong>de</strong>s</strong> SVT pour plusieurs raisons.Tout d’abord, leur fabrication est plus aisée. En effet, les SVT sont réalisés <strong>en</strong> fabricant sé<strong>par</strong>ém<strong>en</strong>t<strong>de</strong>ux dio<strong><strong>de</strong>s</strong> Schottky, et <strong>en</strong> collant sous vi<strong>de</strong> les <strong>de</strong>ux métaux <strong>par</strong> une technique appelée collagemoléculaire (« vacuum metal bonding ») [Shimatsu98], alors que les MTT peuv<strong>en</strong>t être <strong>en</strong>tièrem<strong>en</strong>tréalisés <strong>par</strong> évaporation <strong>de</strong> la structure sous vi<strong>de</strong> et leur fabrication est compatible avec les techniques<strong>de</strong> lithographie optique. L’oxy<strong>de</strong> est <strong>en</strong> général formé <strong>par</strong> oxydation d’une couche <strong>de</strong> 2 nmd’aluminium. D’autre <strong>par</strong>t, dans un MTT, il est possible <strong>de</strong> varier l’énergie d’injection <strong><strong>de</strong>s</strong> électronsincid<strong>en</strong>ts <strong>en</strong> polarisant l’émetteur <strong>par</strong> rapport à la base. Ceci est un grand avantage <strong>par</strong> rapport auxSVT où l’énergie <strong><strong>de</strong>s</strong> électrons incid<strong>en</strong>ts est fixée <strong>par</strong> la hauteur <strong>de</strong> la barrière <strong>de</strong> Schottky formée<strong>en</strong>tre l’émetteur et la base (Fig.II.7).Cette possibilité permet ainsi une étu<strong>de</strong> spectroscopique et dép<strong>en</strong>dante du spin du transportd’électrons sur une gamme d’énergie allant <strong>de</strong> 0.8 à 2 eV (au-<strong>de</strong>là l’oxy<strong>de</strong> est susceptible <strong>de</strong>claquer). Cette gamme d’énergie est <strong>en</strong> général très peu connue et difficilem<strong>en</strong>t accessible <strong>par</strong> lestechniques classiques <strong>de</strong> spectroscopie. En effet, les libres <strong>par</strong>cours moy<strong>en</strong> à ces énergies étant <strong>de</strong>l’ordre <strong>de</strong> gran<strong>de</strong>ur <strong><strong>de</strong>s</strong> épaisseurs déposées, les électrons transmis et donc ceux qui sont analysés, ontperdu peu d’énergie. Il est <strong>par</strong> conséqu<strong>en</strong>t raisonnable d’admettre que les électrons transmis sontess<strong>en</strong>tiellem<strong>en</strong>t <strong><strong>de</strong>s</strong> électrons élastiques. C’est pour cette raison que nous les avons baptisés « filtres àspin élastiques » (i.e. les électrons transmis n’ont subi que <strong><strong>de</strong>s</strong> diffusions élastiques). Par ailleurs, il aété mesuré dans ces MTT, <strong><strong>de</strong>s</strong> magnéto-courants (MC) <strong>de</strong> plus <strong>de</strong> 3000% (Fig.II.8). C’est un résultatimportant, car il démontre à nouveau la possibilité <strong>de</strong> réaliser <strong><strong>de</strong>s</strong> vannes <strong>de</strong> spin à électrons chaudstout soli<strong><strong>de</strong>s</strong> extrêmem<strong>en</strong>t efficaces et fonctionnant à température ambiante avec <strong><strong>de</strong>s</strong> métauxferromagnétiques usuels. A l’heure actuelle, le principal inconvéni<strong>en</strong>t <strong>de</strong> ces dispositifs <strong>de</strong>meure dansleur faible efficacité <strong>de</strong> collection. En effet, bi<strong>en</strong> que le filtre à spin atténue <strong>en</strong> soit mo<strong><strong>de</strong>s</strong>tem<strong>en</strong>t lecourant (libre <strong>par</strong>cours moy<strong>en</strong> grands à <strong><strong>de</strong>s</strong> énergies <strong>de</strong> l’ordre <strong>de</strong> l’eV), l’efficacité <strong>de</strong> collection dansle SC est faible car le nombre d’états accessibles dans le SC à basse énergie est beaucoup plus faibleque dans un métal. C’est <strong>en</strong> quelque sorte l’effet revers du désaccord <strong><strong>de</strong>s</strong> conductivités, qui cette foiscinuit à l’efficacité <strong>de</strong> collection 3 .3 Ce problème n’est pas nouveau. Ce fut <strong>en</strong> effet, l’un <strong><strong>de</strong>s</strong> principaux obstacles au développem<strong>en</strong>t <strong><strong>de</strong>s</strong> transistorsà base métallique au cours <strong><strong>de</strong>s</strong> années 60-70 [Sze66].19

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