Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

Chapitre II – Concepts généraux autour de l’électronique de spinAvec ce type de procédure, Hanbicki et al [Hanbicki03] ont mesuré par luminescence des polarisationsélectroniques injectées dans le SC de 32 % (4.5 K), en utilisant comme hétérostructuresFe/AlGaAs/GaAs.En insérant une interface résistive entre le métal et le SC, il est donc possible d’injecter uncourant polarisé de spin d’un MF vers un SC.1.B.2. Critères imposés à l’interface pour injecter et détecter un courant polarisé de spindans une structure MF/I/SC/I/MF.Le problème de la détection de spin est un problème similaire à celui de l’injection. Cependant, leproblème important qui se pose en électronique de spin n’est pas tellement celui de l’injection ouindépendamment celui de la détection d’un courant polarisé de spin, mais plutôt la capacité à détecterun changement de résistance (ou de tension) entre deux configurations P et AP de la source et duAP PR − Rdrain, c'est-à-dire à maximiser la quantité . Cette condition est équivalente à injecter unPRcourant polarisé de spin vers un SC, tout en conservant cette polarisation jusqu’au détecteur, autrementdit, maintenir tout au long du transport une accumulation de spin ( Δ μ ) proche de la différence detension (V) imposée entre la source et le drain. Il a été établit ces dernières années, par différentsgroupes, que ces conditions imposent un compromis sur la résistance d’interface rIentre le métal et leSC. L’objectif de ce paragraphe est d’expliquer brièvement l’origine physique de ce compromis.On peut exprimer dans un régime diffusif et dans la limite des faibles courants, une inégalité sur laΔ Rrésistance d’interface pour avoir une valeur optimale deP [Fert01] :R2 SCλ DSr1 = ρ SC t SC