Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

Chapitre II – Concepts généraux autour de l’électronique de spinMott) (Fig. II.3). Pour modéliser l’interface, nous introduisons une résistance d’interface↑↓r (homogène à une résistance de contact) dépendante du spin 1 et définit par :↑↓r = 2r I[1 m γ ]avec γ l’asymétrie de spin de la résistance d’interface (ou polarisation de l’interface).Fig.II.3: Schéma des résistances effectives illustrant le rôle d’une interface résistive etdépendante du spin sur la polarisation du courant injecté dans le SC.↑ ↓J − JDans ce modèle phénoménologique, on peut calculer la polarisation du courant P = en↑ ↓J + Jconsidérant le montage comme un simple diviseur de courant :MF ↓ ↑ ↑ ↓λDS( ρ MF − ρ MF ) + r − rP =MF ↓ ↑ ↑ ↓SCλDS( ρ MF + ρ MF ) + r + r + 2λDSρ SCSoit en introduisant les asymétries de spin des résistivités de volume du MF (η ) et de l’interface (γ ):ηrMF+ γrIP =r + r + rMFISC(II.6)Cette formule est exactement celle obtenue par Rashba [Rashba00] dans l’hypothèse des faiblescourants et dans des conditions de bandes plates du SC. Elle montre que dans le cas où l’interfacerMFn’est pas résistive ( rI