Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

Chapitre II – Concepts généraux autour de l’électronique de spinD’un point de vue du transport, on peut associer à ces deux canaux de spin des résistivités différentesdonnées par :↑↓m1↑↓ ↑↓ ↑↓ρ =avec↑↓ ↑↓↑↓n e² τ∝ 2V D E Fτoù↑↓n ,↑↓ ↑↓m , τ , V↑↓et DE F↑↓désignent respectivement le nombre d’électrons par unité devolume, la masse effective, le temps de relaxation, le potentiel diffuseur (impuretés), et la densitéd’états au niveau de Fermi . L’ensemble de ces grandeurs dépend éventuellement du spin.Il est commode d’introduire l’asymétrie de spin η de la résistivité :↑ ↓ρ − ρη =↑ ↓ρ + ρEn pratique, l’asymétrie en spin de la résistivité provient essentiellement de la dépendance en spin dela densité d’état, ou, de façon équivalente, de la dépendance en spin du libre parcours moyen au niveau↓de Fermi. Par exemple, du fait de la grande différence des densités d’état à E F ( D↑ E