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Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

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Chapitre V – Modélisation du transport d’électrons chauds polarisés <strong>de</strong> spinFig.V.4 : Représ<strong>en</strong>tation <strong>de</strong> la fonction F expérim<strong>en</strong>tale pour l’échantillon 2 <strong>en</strong> fonction <strong>de</strong>l’énergie d’injection E 0 . Extraction graphique du gain <strong>de</strong> la barrière multiplicative.L’extraction <strong>de</strong> la valeur <strong>de</strong> saturation <strong>de</strong> la fonction F nous permet d’avoir accès graphiquem<strong>en</strong>t à lavaleur du gain <strong>de</strong> la barrièreφ S, si l’on connaît l’énergie <strong>de</strong> seuilφ T. Pour une énergie seuilφ T= 5eV,on déduit donc les valeurs <strong>de</strong> αSpour les échantillons 1 et 2 :Echantillon 1 : α S= 0. 65Echantillon 2 : α S= 0. 32Ces quantités sont <strong>de</strong> l’ordre <strong>de</strong> 0.5. La différ<strong>en</strong>ce d’un facteur <strong>de</strong>ux <strong>en</strong>tre les <strong>de</strong>ux échantillons, peutprov<strong>en</strong>ir d’une différ<strong>en</strong>ce <strong>de</strong> la qualité <strong>de</strong> l’interface (réflexion à l’interface).Par ailleurs, l’analyse <strong><strong>de</strong>s</strong> courbes <strong>de</strong> transmissions à haute énergie d’injection est compatible avecl’hypothèse <strong>de</strong> multiplication d’électrons secondaires dans le SC <strong>par</strong> le mécanisme <strong>de</strong> création <strong>de</strong>paires électron-trou dans le SC. En effet, à haute énergie d’injection, lorsqueε M> φT, la transmissions’exprime sous la forme (équation V.11) :αST ≈ E 0φTLa transmission doit donc évoluer donc linéairem<strong>en</strong>t avec l’énergie d’injection. C’est bi<strong>en</strong> ce que nousobservons expérim<strong>en</strong>talem<strong>en</strong>t sur l’<strong>en</strong>semble <strong>de</strong> nos échantillons à haute énergie d’injection (Fig.V.5).Ces observations apport<strong>en</strong>t <strong><strong>de</strong>s</strong> résultats marquants : tout d’abord le gain <strong>de</strong> la <strong>de</strong>uxièmebarrière est très supérieur à celui <strong>de</strong> la première barrière ( αS>> αB). Autrem<strong>en</strong>t dit pour uneénergie <strong><strong>de</strong>s</strong> électrons supérieure àφ S, l’interface métal/SC est passante.Le régime observé à haute énergie d’injection a pour origine la multiplication d’électronssecondaires dans le SC <strong>par</strong> ionisation <strong>par</strong> impact.120

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