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Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

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Chapitre IV – Réalisation d’un transistor à vanne <strong>de</strong> spin sous ultra-vi<strong>de</strong>.4.C.3. Com<strong>par</strong>aison du SNR avec celui <strong><strong>de</strong>s</strong> MTT et <strong><strong>de</strong>s</strong> vannes <strong>de</strong> spin commerciales.Discussion4.C.3.1. Com<strong>par</strong>aison avec les MTTDans la section précéd<strong>en</strong>te nous avons dérivé une expression <strong>de</strong> la figure <strong>de</strong> mérite adaptée à notreinstrum<strong>en</strong>t. Cette figure <strong>de</strong> mérite s’applique égalem<strong>en</strong>t à tout transistor à électrons chauds, et <strong>en</strong><strong>par</strong>ticulier aux MTT. Les expressions IV.12 sont <strong>en</strong> fait une généralisation <strong>de</strong> la figure <strong>de</strong> mérite d’unMTT dans le cas où la transmission ne peut plus être négligée <strong>de</strong>vant l’unité. En général les MTTfonctionn<strong>en</strong>t à fort courant injecté (i.e. pour <strong><strong>de</strong>s</strong> courants supérieurs au courant <strong>de</strong> saturation <strong>de</strong> lajonction), <strong>de</strong> sorte que le bruit est ess<strong>en</strong>tiellem<strong>en</strong>t dominé <strong>par</strong> le bruit <strong>de</strong> gr<strong>en</strong>aille <strong>de</strong> la source. Lesmesures <strong>de</strong> bruit sur <strong>de</strong> tels transistors confirm<strong>en</strong>t ce résultat [Jans<strong>en</strong>03]. La figure <strong>de</strong> mériteintrinsèque d’un MTT s’exprime alors sous la forme (dans la limite <strong><strong>de</strong>s</strong> faibles transmissions):F MTTi= SLa mesure est ici effectuée sur le collecteur. Compte t<strong>en</strong>u <strong><strong>de</strong>s</strong> expressions (II.18), on peut exprimeranalytiquem<strong>en</strong>t la figure <strong>de</strong> mérite intrinsèque d’un MTT <strong>en</strong> fonction <strong>de</strong> l’épaisseur d <strong>de</strong> la couche dumatériau magnétique :MTT t 2d2dFi= tanh( )sinh( ) e2 βλ βλCelle-ci est alors optimale pour une épaisseur d max :2λ −1/β + 1/ β + 8dmax= arg tanh()β2On peut déduire la valeur optimale <strong>de</strong> la figure <strong>de</strong> mérite dans le cas du MTT prés<strong>en</strong>té <strong>en</strong> figure (Fig.4II.9), où λ = 22 A, β = 0.69 et t = 4.10− :d = 4.2 nm et MTT−5−4max= 9.10 ≈2T−d/ λF i max10Nous avons représ<strong>en</strong>té sur la figure (Fig.IV.30) la figure <strong>de</strong> mérite optimale d’un MTT usuel et celle<strong>de</strong> notre instrum<strong>en</strong>t pour un courant incid<strong>en</strong>t <strong>de</strong> 10mA, et pour les échantillons 1 et 2. La valeur ducourant injecté choisie correspond à un courant <strong>de</strong> source typique pour un MTT.Nous y avons égalem<strong>en</strong>t inclus les SNR lorsque la mesure est effectuée sur la base ou sur le collecteur.Nous constatons que les SNR que nous obt<strong>en</strong>ons sont com<strong>par</strong>ables à celui d’un MTT optimisé.Ces courbes montr<strong>en</strong>t <strong>de</strong> plus, qu’à haute énergie d’injection il est plus avantageux d’effectuer lamesure <strong>de</strong> l’effet vanne <strong>de</strong> spin sur la base plutôt que sur le collecteur. Un gain <strong>de</strong> 4 dB est observé.Comme nous l’avons souligné plus haut, ce résultat provi<strong>en</strong>t du fait qu’autour <strong>de</strong> l’annulation le bruit<strong>de</strong> la source est annulé lorsque la mesure est effectuée sur la base. Rappelons égalem<strong>en</strong>t qu’unemesure autour <strong>de</strong> l’annulation permet <strong>de</strong> bénéficier d’un contraste <strong>en</strong> principe « infini ». Le bruitlimitant la mesure est alors uniquem<strong>en</strong>t le bruit <strong>de</strong> gr<strong>en</strong>aille du courant transmis (bruit <strong>de</strong> collecte).104

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