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Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

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Chapitre IV – Réalisation d’un transistor à vanne <strong>de</strong> spin sous ultra-vi<strong>de</strong>.⎛σ σ 1+σ.P0σ 1+σ . P0⎞⎜ IC= T I0+ T I0 ⎟⎜22 ⎟⎜ σσ 1+σ.P0σ 1+σ . P0⎟IB= (1 − T ) I0+ (1 − T ) I0⎝22 ⎠Pour calculer le bruit sur chacune <strong>de</strong> ces quantités, nous pouvons appliquer la même démarche quecelle employée pour calculer le bruit <strong>de</strong> la source. Afin d’alléger les calculs (sans changer l’ordre <strong>de</strong>gran<strong>de</strong>ur <strong><strong>de</strong>s</strong> bruits), nous allons supposer que SP 0

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