Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

Chapitre IV – Réalisation d’un transistor à vanne de spin sous ultra-vide.Pour un fonctionnement à l’énergie E**, la dépendance en spin est de l’ordre de 30 %, maisl’asymétrie de spin est faible quelque soit l’électrode choisie pour la mesure.Dans les deux modes de fonctionnement, la transmission est grande (supérieure à 1).P 0 = 100 % E (eV) T ΔT A C (%) |A B | (%)Echantillon 1E* 520 1 1.8 10 -2 0.8 ∞E** 1500 100 0.28 0.15 0.15Echantillon 2E* 765 1 1.5 10 -2 0.78 ∞E** 1900 47 0.13 0.14 0.14MTT 1.4 3.10 -4 2.85 10 -4 95 0.028Tab. IV.1 : Comparatif des valeurs de grandeurs caractérisant le transistor à vanne de spin pourles énergies caractéristiques E* et E**.Fig. IV.23 : A gauche : courbes de transmission pour les échantillons 1 et 2. A droite : courbes del’asymétrie de spin mesurée sur le collecteur pour les deux mêmes échantillons.Les MTT fonctionnent différemment : ils opèrent à faible tension. Ils présentent une faibletransmission, mais bénéficient d’une très forte asymétrie de spin (l’asymétrie mesurée sur le collecteurdécroît cependant avec l’énergie incidente).De façon générale, le choix de l’énergie de fonctionnement optimale dépend du signal que l’onsouhaite mesurer, et donc, des applications visées. Pour des énergies supérieures à 430 eV, pourl’échantillon 1 par exemple, notre transistor présente un niveau de signal (T ou Δ T ) bien supérieur àcelui d’un MTT. Cependant, dans tous les cas, la quantité à étudier pour déterminer l’énergied’opération optimale reste le rapport signal sur bruit de la mesure. Dans le cas d’un transistor àvanne de spin à électrons chauds, l’information est portée par la quantité ΔT. L’étude du bruit quiaffecte cette quantité est donc un prérequis à la détermination pratique de l’énergie optimaled’opération d’un transistor à vanne de spin. L’étude de ce bruit est l’objet de la prochaine section.93