Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

Chapitre IV – Réalisation d’un transistor à vanne de spin sous ultra-vide.Fig. IV.22 : A haut : valeur absolue de l’asymétrie de spin mesurée sur la base pour l’échantillon1 en fonction de l’énergie d’injection. Mise en évidence de la divergence à E = E*. En bas :asymétrie de spin mesurée sur le collecteur. L’asymétrie passe par un maximum à l’énergie E*,et a pour valeur 2.10 -3 .3.E. Influence des épaisseurs. Comparaison du mode de fonctionnement de notretransistor avec celui des MTT.Nous avons récapitulé dans le tableau (Tab.IV.1) les valeurs des grandeurs introduites aux précédentsparagraphes pour un fonctionnement du transistor aux énergies E* et E** et pour deux structuresd’épaisseurs différentes (échantillon 1 et échantillon 2). Ces valeurs ont été rapportées à unepolarisation initiale de 100%.Nous remarquons (cf. figure Fig.IV.23) qu’il est possible de moduler les propriétés de la transmissionen variant l’épaisseur totale de la base. Expérimentalement, on observe une diminution del’énergie d’annulation E* lorsque l’épaisseur totale diminue (environ 100 eV par nanomètre). Enrevanche l’asymétrie de spin, qui traduit en quelque sorte la sélectivité en spin de l’instrument estquasiment insensible à l’épaisseur de fer. Ce résultat montre que pour des épaisseurs supérieures à2 nm, l’effet de filtre à spin est très efficace.Nous avons également comparé ces valeurs à celles d’un MTT typique présenté au chapitre II etopérant à 1.4 eV (cf. Fig.II.9) afin d’illustrer les différences de fonctionnement. Dans le cas d’untransistor fonctionnant à haute énergie d’injection :Pour un fonctionnement à l’énergie E* la dépendance en spin est de l’ordre du pourcent, maisl’asymétrie de spin peut-être aussi grande que souhaitée (si la mesure s’effectue sur la base).92