Etudes par microscopie en champ proche des phÃ©nomÃ¨nes de ...

More documents

Recommendations

Info

$G. M. Zaslavsky, Chaos, fractional kinetics, and anomalous transport ...$

Chapitre IV – Réalisation d’un transistor à vanne de spin sous ultra-vide.Dans la gamme des énergies que nous avons sondées, ∆T augmente sur plus de 5 ordres de grandeur.Comme pour la transmission, on peut définir quatre régimes en fonction de l’énergie d’injection : (1) 10 < E éch < 80 eV : ∆T est constant. (2) 80 < E éch < 300 eV : ∆T évolue avec une pente sensiblement égale à 2. (3) 300 < E éch < 1000 eV : ∆T évolue très rapidement, avec une pente de 8. (4) 1000 < E éch < 3000 eV : ∆T évolue plus lentement (régime de saturation); ellepasse par un maximum pour une énergie E** =1500 eV, puis décroit.Les intervalles en énergie de ces quatre régimes coïncident avec ceux définissant les quatre régimes dela transmission, ce qui semble indiquer que la collection dans le SC joue un rôle important dans lecalcul de ces quantités. Comme nous le montrerons au prochain chapitre, la collection dans le SCdépend d’une part de la multiplication dans la base du transistor, et d’autre part de l’efficacité decollection à travers l’interface métal/SC.Fig.IV.21 : Evolution de la dépendance en spin de la transmission (ΔT) de l’échantillon 1 enfonction de l’énergie d’injection. Mise en évidence des quatre régimes de fonctionnement. Pourune énergie E** = 1500 eV, ΔT passe par un maximum et vaut 7.10 -2 .L’autre point important à signaler est l’évolution de ∆T dans le troisième régime. Il est remarquable demesurer une pente supérieure à celle observée sur la transmission. Cette observation montre que lasélectivité du filtre à spin augmente dans ce régime. En particulier, à l’énergie E*, pour laquelle T = 1,on mesure une dépendance en spin du gain de 4.5 10 -3 .Enfin, à plus haute énergie d’injection, ∆T augmente moins vite que la transmission, puis aprèsêtre passée par un maximum, diminue : la sélectivité en spin est donc moindre à plus hauteénergie d’injection. Précisons que l’énergie réelle à laquelle les électrons franchissent la couchemagnétique est cependant bien inférieure à l’énergie d’injection (chapitre V).Le maximum de ∆T atteint à l’énergie E** et a pour valeur 7.10 -2 , c'est-à-dire que pour unecourant d’électrons incident polarisés à 100%, la dépendance en spin du courant transmis est de30% du courant incident.Cette valeur élevée est à comparer à ce qui est observé dans les MTT présentés au chapitre II : bienque bénéficiant d’une forte sélectivité, la modulation du courant collecté reste toujours inférieure à90
Chapitre IV – Réalisation d’un transistor à vanne de spin sous ultra-vide.10 -3 du courant incident. Cette valeur est obtenue dans notre transistor pour une énergie d’environ 430eV.3.D. Asymétrie de spin du gainUne autre quantité importante à représenter est l’asymétrie de spin du gain. Cette quantité indiqueavec quelle dynamique la mesure de la dépendance en spin du gain peut être effectuée. Elle peut êtremesurée soit sur la base soit sur le collecteur. Ces quantités, dont l’expression a été donnée dansl’équation IV.6, sont représentées sur la figure (Fig.IV.22a) et (Fig.IV.22b).3.D.1. Asymétrie de spin mesurée sur la baseL’asymétrie de spin mesurée sur la base est une fonction croissante jusqu’à E*, où elle présente unesingularité ; puis, avoir changé de signe, décroît. La singularité à E* est simplement la conséquence del’annulation du courant base à cette énergie. En ajustant l’énergie d’injection, il donc possibled’avoir une asymétrie de spin sur la base aussi grande que souhaitée, et donc de bénéficier d’unetrès grande dynamique pour effectuer la mesure.3.D.2. Asymétrie de spin mesurée sur le collecteurL’asymétrie de spin mesurée sur le collecteur décroît pendant le premier régime, puis à partir dutroisième régime croît brusquement jusqu’à une valeur maximale de 2.10 -3 obtenue à l’énergied’annulation, avant de décroître à partir de cette énergie. A l’énergie E**, ou la dépendance en spindu gain était maximale, l’asymétrie de spin est faible, et vaut 3.75 10 -4 .Remarquons qu’à basse énergie d’injection, où l’asymétrie de spin est censée être maximale, estinférieure d’environ un facteur 10 par rapport à celle observée sur des structures similaires [Filipe98,Rougemaille03]. Nous attribuons ce résultat à la présence de courants de fuite à travers la jonction.Ces courants de fuite qui ne portent pas d’information sur le spin atténuent l’asymétrie mesurée et sontà l’origine de l’ensemble des problèmes de mesure que nous avons rencontrés à basse énergied’injection.91
Page 3 and 4:
RésuméDRISS LAMINEEffet de filtre
Page 5 and 6:
AbstractDRISS LAMINESpin filter eff
Page 7 and 8:
RemerciementsRemerciementsJ’ai r
Page 9 and 10:
Table des matièresTABLE DES MATIER
Page 11 and 12:
Table des matières4.A. Notion de r
Page 13 and 14:
PréambuleChapitre IPréambuleL’u
Page 15 and 16:
PréambuleRougemaille03 : Rougemail
Page 17 and 18:
Chapitre II - Concepts généraux a
Page 19 and 20:
Page 21:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41:
Page 42 and 43:
Page 44 and 45:
Page 46 and 47:
Page 48 and 49:
Page 50 and 51:
Chapitre III - Réalisation et cara
Page 52 and 53: Chapitre III - Réalisation et cara
Page 78 and 79: Chapitre IV - Réalisation d’un t
Page 122 and 123: Chapitre V - Modélisation du trans
Page 152 and 153:
Chapitre V - Modélisation du trans
Page 154 and 155:
Page 156 and 157:
Page 158 and 159:
Page 160 and 161:
Page 162 and 163:
Page 164 and 165:
Page 166 and 167:
Conclusion et perspectivesFig.VI.1
Page 168 and 169:
156Conclusion et perspectives
Page 170 and 171:
BibliographieHopster83 : Hopster et
Page 172 and 173:
BibliographieWeber01 : Weber W. et
Page 174 and 175:
BibliographiePierce75 :Pierce D.T e
Page 176 and 177:
164Bibliographie
Page 178 and 179:
166
Page 180 and 181:
2ing spin-polarized electrons decre
Page 182 and 183:
4sample potential. The variations o
Page 184 and 185:
6component v l , and an electron of
Page 186 and 187:
secondary electrons. Because of the
Page 188 and 189:
10energy is due to the increasing p
Page 190 and 191:
12APPENDIX A: VARIATION OF THE ELEC
Page 192 and 193:
14multiplication. The variation of
Page 194:
182
show all

Etudes par microscopie en champ proche des phÃ©nomÃ¨nes de ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?