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Etudes par microscopie en champ proche des phénomènes de ...

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Chapitre IV – Réalisation d’un transistor à vanne <strong>de</strong> spin sous ultra-vi<strong>de</strong>.Fig. IV.18 : Evolution du courant base I B , du courant collecté I C et du courant incid<strong>en</strong>t I 0 <strong>en</strong>fonction <strong>de</strong> l’énergie d’injection pour l’échantillon 2. Pour une énergie E* = 765 eV, le courantbase I B s’annule.Fig.IV.19 : Evolution <strong>de</strong> la transmission <strong>de</strong> l’échantillon 1 <strong>en</strong> fonction <strong>de</strong> l’énergie d’injection.Mise <strong>en</strong> évid<strong>en</strong>ce <strong><strong>de</strong>s</strong> quatre régimes <strong>de</strong> la transmission. Pour cet échantillon, le gain <strong>de</strong>vi<strong>en</strong>tsupérieur à 1 pour une énergie E* = 520 eV.88

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