Etudes de cristaux liquides colonnaires en solution organique et en ...

2.2. ELABORATION D’UN DÉPÔTLe substrat : Il s’agit d’un“wafer”rond en silicium non dopé. Il est recouvert d’une couched’oxyde natif d’environ 20 nm (SiO 2 ). Son diamètre est de 1 pouce ce qui facilite sonintroduction dans un four. De plus, lorsque le spin coating est activé, le “wafer” est“aspiré”. Si celui-ci est trop fin (typiquement 250 µm), il se courbe lors du dépôt et lesfilms ne sont pas homogènes. Pour éviter ce problème, nous avons choisi d’utiliser des“wafers” ayant une épaisseur de 1mm.Le durée du dépôt : Cette durée est de 30 secondes afin de bien laisser le temps auchloroforme de s’évaporer du film mince.Ainsi, tous ces paramètres étant fixés, l’épaisseur des films est directement proportionnelleà la concentration de cristaux liquides colonnaires introduit en solution. Il est même possibled’estimer assez précisément l’épaisseur du film à partir de la concentration de la solution.2.2.1 L’épaisseur des filmsL’épaisseur des films étudiés a été déterminée par trois méthodes : la réflectivité desrayons X, le profilomètre mécanique 2 et les couleurs de Newton. Récemment, le laboratoirea fait l’acquisition d’un ellipsomètre. Cet outil mesure le changement de polarisation de lalumière après réflexion sur une surface. Dans le cas particulier d’un film mince non absorbant,il est possible de déterminer de manière indépendante l’indice de réfraction et l’épaisseur dufilm.2.2.1.1 La réflectivité des rayons XCette méthode consiste à mesurer l’intensité des rayons X réfléchie par un échantillon enfonction de l’angle d’incidence du faisceau. La réflectivité des rayons X aux deux interfacesd’un film d’épaisseur h conduit à une succession périodique de maxima et de minima. Il s’agitdes franges de Kiessig correspondant aux interférences constructives et destructives entre lerayonnement réfléchi sur chacune des interfaces. L’épaisseur est inversement proportionnelleà l’espacement des franges.2 en collaboration avec le LGET36