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Etudes de cristaux liquides colonnaires en solution organique et en ...

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CHAPITRE 4. ETUDE DE FILMS MINCES DE CRISTAUX LIQUIDESCOLONNAIRES EN DIFFRACTION DES RAYONS X EN INCIDENCE RASANTE4.6 ConclusionDans c<strong>et</strong>te partie, nous avons sondé la structure <strong>de</strong>s films minces <strong>de</strong> <strong>cristaux</strong> liqui<strong>de</strong>s<strong>colonnaires</strong>. Dans un premier temps, nous avons caractérisé les films minces recuits. Cesdépôts sont ori<strong>en</strong>tés selon un ancrage homéotrope ou planaire. Sur un cliché <strong>de</strong> diffraction,un ancrage homéotrope est caractérisé par un pic <strong>de</strong> Bragg sur l’axe Q // tandis que l’ancrageplanaire <strong>de</strong>s colonnes est traduit par la prés<strong>en</strong>ce combinée du “pic planaire” <strong>et</strong> du “pic 60”.Dans un second temps, nous avons étudié lesfilms minces non recuits. Ces dépôts sontréalisés à partir <strong>de</strong> <strong>de</strong>ux techniques différ<strong>en</strong>tes : le spin coating <strong>et</strong> l’évaporation. Ces <strong>de</strong>uxtechniques nous ont conduit à <strong>de</strong>s résultats surpr<strong>en</strong>ants. En eff<strong>et</strong>, dans une représ<strong>en</strong>tationQ // − Q ⊥ , les films minces sont systématiquem<strong>en</strong>t constitués du “pic planaire” <strong>et</strong> du “pic60”. Ainsi, tous ces dépôts sont organisés selon un ancrage planaire. De plus, dans le casdu spin coating, nous avons pu m<strong>et</strong>tre <strong>en</strong> évi<strong>de</strong>nce que l’ancrage planaire <strong>de</strong>s colonnes estindép<strong>en</strong>dant <strong>de</strong> l’épaisseur <strong>de</strong>s dépôts, du type <strong>de</strong> substrat (cristallin ou amorphe), <strong>de</strong> lanature <strong>de</strong> la phase (colonnaire ou cristalline) ou <strong>en</strong>core du solvant.Par ailleurs, l’ancrage planaire <strong>de</strong>s colonnes est dû au fait que les molécules discotiquesévit<strong>en</strong>t l’interface avec l’air. En eff<strong>et</strong>, la t<strong>en</strong>sion <strong>de</strong> surface <strong>en</strong>tre l’interface CL-air est bi<strong>en</strong>supérieure à la t<strong>en</strong>sion <strong>de</strong> surface CL-substrat. En adoptant un ancrage planaire, elles minimis<strong>en</strong>tainsi leur contact avec l’air [83, 84].Par conséqu<strong>en</strong>t, nous avons montré que l’ori<strong>en</strong>tation homéotrope <strong>de</strong> la couche organiqu<strong>en</strong>e peut être obt<strong>en</strong>ue simplem<strong>en</strong>t <strong>en</strong> réalisant un dépôt par spin coating ou par évaporation.Ces <strong>de</strong>ux techniques <strong>en</strong>traîn<strong>en</strong>t, sans autre traitem<strong>en</strong>t, un ancrage planaire <strong>de</strong>s colonnes [85].Dans c<strong>et</strong>te situation, la configuration <strong>de</strong> la couche <strong>de</strong> la cellule <strong>organique</strong> est la plus défavorablepossible. En eff<strong>et</strong>, l’ancrage planaire <strong>de</strong>s colonnes nuit fortem<strong>en</strong>t à la conduction <strong>de</strong>sexcitons <strong>et</strong> à la mobilité <strong>de</strong>s charges. Donc, pour optimiser la cellule solaire photovoltaïque,il est impératif <strong>de</strong> trouver une métho<strong>de</strong> pour ori<strong>en</strong>ter <strong>en</strong> homéotrope la couche <strong>organique</strong>.Toutefois, sans recuit thermique, l’ancrage planaire systématique <strong>de</strong>s colonnes peut être<strong>en</strong>visagée sous un angle optimiste. En eff<strong>et</strong>, nous avons vu dans le paragraphe 1.3.3 queles cellules photovoltaïques élaborées par évaporation ont <strong>de</strong>s r<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>ts comparables àd’autres cellules photovoltaïques <strong>organique</strong>s. Ainsi, nous pouvons p<strong>en</strong>ser qu’<strong>en</strong> organisantles colonnes selon une direction homéotrope, le r<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>t <strong>de</strong>vrait augm<strong>en</strong>ter.141

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