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Etudes de cristaux liquides colonnaires en solution organique et en ...

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CHAPITRE 4. ETUDE DE FILMS MINCES DE CRISTAUX LIQUIDESCOLONNAIRES EN DIFFRACTION DES RAYONS X EN INCIDENCE RASANTEinci<strong>de</strong>nce (θ cor˚) 0.32 0.17 0.07ϕ (˚) SAXS 83 84 86ϕ (˚) WAXS 87 - -int<strong>en</strong>sité moy<strong>en</strong>ne (u.a) 637 1462 3040Tab. 4.3 – Ce tableau représ<strong>en</strong>te la valeur <strong>de</strong> ϕ correspondant à l’int<strong>en</strong>sité maximale du pic<strong>de</strong> Bragg dans les configurations SAXS <strong>et</strong> WAXS ainsi que l’int<strong>en</strong>sité moy<strong>en</strong>ne obt<strong>en</strong>ue àpartir <strong>de</strong> l’agrandisem<strong>en</strong>t <strong>de</strong> la figure 4.11.4.2.6 Eff<strong>et</strong> d’ombreExpérim<strong>en</strong>talem<strong>en</strong>t, nous avons mis <strong>en</strong> évi<strong>de</strong>nce un eff<strong>et</strong> d’ombre sur le détecteur. C<strong>et</strong>teombre provi<strong>en</strong>t <strong>de</strong> l’inci<strong>de</strong>nce du faisceau <strong>de</strong> rayons X (selon θ) sur l’échantillon.Pour m<strong>et</strong>tre <strong>en</strong> évi<strong>de</strong>nce l’eff<strong>et</strong> d’ombre du substrat, nous pr<strong>en</strong>ons le cliché <strong>de</strong> diffractiond’un film mince <strong>de</strong> Py4CEH (figure 4.10). Ce film est étudié sous trois inci<strong>de</strong>nces différ<strong>en</strong>tes :0.07, 0.17 <strong>et</strong> 0.32˚. Nous constatons la prés<strong>en</strong>ce d’un pic <strong>de</strong> Bragg sur l’axe Q // . Pour lestrois inci<strong>de</strong>nces étudiées, nous représ<strong>en</strong>tons sur la figure 4.11 une zone délimitée autour dupic <strong>de</strong> Bragg. En utilisant la métho<strong>de</strong> décrite dans le paragraphe 4.2.4, nous effectuons uneintégration angulaire. L’int<strong>en</strong>sité maximale du pic <strong>de</strong> Bragg est repérée par l’angle ϕ.Tout d’abord, nous constatons sur le tableau 4.3 que l’eff<strong>et</strong> d’ombre du substrat estplus marqué dans la configuration SAXS que dans la configuration WAXS. De plus, nousremarquons que l’angle ϕ croit lorsque l’inci<strong>de</strong>nce diminue. En eff<strong>et</strong>, ϕ est <strong>de</strong> 83˚ sous uneinci<strong>de</strong>nce <strong>de</strong> 0.32˚puis augm<strong>en</strong>te jusqu’à 86˚sous une inci<strong>de</strong>nce proche <strong>de</strong> 0.07˚. Par ailleurs,nous pouvons comparer l’int<strong>en</strong>sité intégrée moy<strong>en</strong>ne à chaque inci<strong>de</strong>nce. Nous constatonsque celle-ci chute lorsque l’inci<strong>de</strong>nce augm<strong>en</strong>te.Ces <strong>de</strong>ux observations révèl<strong>en</strong>t l’eff<strong>et</strong> d’ombre du substrat ; lorsque l’inci<strong>de</strong>nce augm<strong>en</strong>te,le substrat coupe le signal <strong>de</strong>s rayons réfléchis à sa surface. Or, le plus souv<strong>en</strong>t nous travaillonsà <strong>de</strong>s inci<strong>de</strong>nces <strong>de</strong> 0.17˚ <strong>et</strong> 0.32˚. Ainsi, il faut donc gar<strong>de</strong>r <strong>en</strong> mémoire que, dans cesconditions, l’eff<strong>et</strong> d’ombre du substrat est prés<strong>en</strong>t sur les clichés expérim<strong>en</strong>taux obt<strong>en</strong>us.117

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