Etudes de cristaux liquides colonnaires en solution organique et en ...

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4.2. MONTAGE EXPÉRIMENTAL Vue de dessuséchantillonfaisceau incident✲−→ki✲−→kdcaméraCCDVue 3Dθ ✣■ θ✿caméraCCDψ❃Fig. 4.1 – Représentation schématique de la géométrie des expériences de diffraction desrayons X en incidence rasante.4.2.2 SAXS et WAXSDans ce paragraphe, nous expliquons la méthode employée pour se placer dans les configurationsSAXS et WAXS.Dans la configuration SAXS, nous souhaitons visualiser le premier ordre de la structurehexagonale, c’est-à-dire la distance intercolonnes. Pour cela, il faut déterminer la distanceD séparant l’échantillon de la caméra CCD. La relation de Bragg dans l’espace réciproques’exprime selon la relation 4.12 :q = 4π λsin θ (4.12)Sachant que pour tous les matériaux étudiés le premier ordre correspond approximativementà q = 0.35 Å−1 , nous déterminons θ. De plus, pour un faisceau de rayons X horizontal,l’angle 2θ est relié à la distance D par la relation suivante :tan 2θ = h D(4.13)Pour éviter la distorsion provoquée par les bords de la caméra, nous ne souhaitons pasutiliser les pixels proches de ces bords. Pour cela, un cercle est délimité sur le détecteur et les108
CHAPITRE 4. ETUDE DE FILMS MINCES DE CRISTAUX LIQUIDESCOLONNAIRES EN DIFFRACTION DES RAYONS X EN INCIDENCE RASANTEpixels situés à l’extérieur ne seront pas utilisés (figure 4.2). Ainsi, en prenant h = 4.25 cm,nous montrons que la caméra CCD doit être placée à 55 cm de l’échantillon pour sélectionnerle premier ordre.Dans la configuration WAXS nous souhaitons avoir accès à l’ordre liquide soit la distanceinter-molécules dans la colonne. Pour tous ces matériaux, l’ordre liquide est présent pour q =1.75 Å−1 . En appliquant la même méthode que pour la configuration SAXS, nous montronsque dans la configuration WAXS le détecteur doit être placé à 12 cm de l’échantillon.hFig. 4.2 – Représentation schématique de la distance séparant l’échantillon du détecteur. Surla caméra CCD, la partie hachurée représente les pixels qui ne sont pas utilisés.4.2.3 Empreinte du faisceauLe faisceau incident a une taille horizontale d’environ 1 mm et une taille verticale, notéee v , de 40 µm. L’empreinte du faisceau incident, noté l, varie selon son incidence sur lesubstrat. En effet, sur la figure 4.3, nous remarquons que l, θ et e v sont reliés par la relationsuivante :sin θ = e vl(4.14)Sous une incidence de 0.2˚, la trace du faisceau sur le film est d’environ 11.5 mm, maispeut aller jusqu’à 22.9 mm sous une incidence de 0.1˚. Cette dernière incidence couvre pra-109
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RemerciementsAu cours de ces trois
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AbréviationsMatériaux citésHHTT
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Table des matières1 Cellules solai
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3 Etude des cristaux liquides colon
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4.4.2.1.1 Ancrage homéotrope . . .
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IntroductionDepuis la révolution i
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Dans le premier chapitre, nous intr
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1.4. CONCLUSIONdémouillage éventu
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2.1. LE CHOIX DU MATÉRIAU(120) ind
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2.2. ELABORATION D’UN DÉPÔTLe s
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2.3. LES FILMS RECUITSBien évideme
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2.5. LONGUEUR DE DIFFUSION DES EXCI
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2.6. CONCLUSIONpouvons pas affirmer
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3.1. LE SYSTÈME ÉTUDIÉcristal li
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