13.07.2015 Views

Etudes de cristaux liquides colonnaires en solution organique et en ...

Etudes de cristaux liquides colonnaires en solution organique et en ...

Etudes de cristaux liquides colonnaires en solution organique et en ...

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

4.1. LA DIFFRACTION DES RAYONS X EN INCIDENCE RASANTE4.1.4 Application à notre systèmePour le milieu 2, l’indice optique est donné par :n = 1 − δ + iβ (4.9)où la partie réelle est liée à la <strong>de</strong>nsité électronique <strong>et</strong> la partie imaginaire à l’absorptionpar les relations suivantes :δ = λ2 r 02π ρ el <strong>et</strong> β = λ4π µ (4.10)où r 0 représ<strong>en</strong>te le rayon classique <strong>de</strong> l’électron (r 0 = 2.82 10 −15 m), λ la longueur d’on<strong>de</strong>du faisceau X, ρ el la <strong>de</strong>nsité électronique du milieu 2 <strong>et</strong> µ son coeffici<strong>en</strong>t d’absorption. Typiquem<strong>en</strong>tδ est <strong>de</strong> l’ordre <strong>de</strong> 10 −6 ce qui <strong>en</strong>traîne que l’indice <strong>de</strong> réfraction est toujourslégèrem<strong>en</strong>t inférieur à 1, perm<strong>et</strong>tant une réflexion totale externe sur le substrat à très faibleinci<strong>de</strong>nce [78]. Par la suite, comme β est par plusieurs ordres <strong>de</strong> gran<strong>de</strong>urs inférieur à δ, nousnégligerons ce terme.Dans la configuration <strong>de</strong> l’expéri<strong>en</strong>ce, nous distinguons trois milieux : l’air, le film mincecolonnaire <strong>et</strong> le substrat. A partir <strong>de</strong> la relation 4.2 <strong>et</strong> <strong>en</strong> utilisant les relations 4.9 <strong>et</strong> 4.10,nous calculons l’angle critique <strong>de</strong> réflexion totale <strong>de</strong> la couche <strong>organique</strong> <strong>et</strong> du silicium. Nousobt<strong>en</strong>ons, pour un matériau <strong>organique</strong> i c = 0.15˚, <strong>et</strong> pour le silicium i c = 0.21˚. Compte t<strong>en</strong>u<strong>de</strong> ces angles critiques <strong>de</strong> réflexion totale, nous avons souhaité travailler à une inci<strong>de</strong>nce <strong>de</strong>0.2˚. En eff<strong>et</strong>, c<strong>et</strong>te valeur est supérieure à l’angle critique du film <strong>organique</strong> ce qui perm<strong>et</strong><strong>de</strong> pénétrer complètem<strong>en</strong>t dans le matériau, mais inférieure à l’angle critique du substratpour se réfléchir à sa surface. Or, l’inci<strong>de</strong>nce du faisceau n’est pas connue avec précision carl’horizontalité <strong>de</strong> l’échantillon est assurée par un réglage optique 3 . De ce fait, il existe uneincertitu<strong>de</strong> sur la valeur <strong>de</strong> l’angle d’inci<strong>de</strong>nce du faisceau. Ainsi, pour se trouver dans uneconfiguration où l’inci<strong>de</strong>nce est comprise <strong>en</strong>tre l’angle critique du matériau <strong>organique</strong> <strong>et</strong> celledu substrat, nous avons étudié chaque film mince suivant <strong>de</strong>ux angles d’inci<strong>de</strong>nces différ<strong>en</strong>ts,nominalem<strong>en</strong>t <strong>de</strong> 0.25˚<strong>et</strong> 0.1˚.2 Pour le matériau <strong>organique</strong> ρ = 4.2 10 29 m −3 , <strong>et</strong> pour le silicium ρ = 7.0 10 29 m −33 Cela est dû au fait que certains axes du goniomètre ne soi<strong>en</strong>t pas motorisés.106

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!