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Les dispositifs de commutation - Des ressources pour les STI ...

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<strong>Les</strong> <strong>dispositifs</strong> <strong>de</strong> <strong>commutation</strong>1. <strong>Les</strong> <strong>dispositifs</strong> <strong>de</strong> <strong>commutation</strong> électroniques <strong>de</strong>s signaux<strong>Les</strong> <strong>dispositifs</strong> électroniques <strong>de</strong> <strong>commutation</strong> <strong>de</strong>s signaux fonctionnent en mo<strong>de</strong> « tout ourien » (mo<strong>de</strong> binaire).<strong>Les</strong> <strong>de</strong>ux états possib<strong>les</strong> du composant sont souvent appelés :- état conducteur ou non conducteur,- état passant ou bloqué,ou bien encore :- état fermé ou ouvertNous verrons par la suite que certains <strong>de</strong> ces termes traduisant l’état binaire du composant sontplus appropriés à certains d'entre eux.<strong>Les</strong> <strong>dispositifs</strong> électroniques <strong>de</strong> <strong>commutation</strong> sont <strong>les</strong> suivants :- la dio<strong>de</strong> (à jonction)- le relais- le transistor (bipolaire) en mo<strong>de</strong> <strong>commutation</strong>- le transistor ( à effet <strong>de</strong> champ) en mo<strong>de</strong> <strong>commutation</strong>- <strong>les</strong> thyristors- <strong>les</strong> triacsDans tous <strong>les</strong> cas, un dispositif électronique <strong>de</strong> <strong>commutation</strong> peut être assimilé à un interrupteur(plus ou moins évolué) ouvert ou fermé.2. La dio<strong>de</strong> à jonction2.1 Analogie hydrauliqueUne dio<strong>de</strong> est un composant qui ne laisse passer le courant que dans un sens à l'image d'un clapetanti retour monté sur un réseau d'assainissement ou d’une porte qui ne s’ouvre que dans un sens(pas une porte <strong>de</strong> saloon)2.2 ConstitutionL’élément <strong>de</strong> base est une jonction PN dont la dio<strong>de</strong> hérite <strong>de</strong> toutes ses propriétés.Pour permettre son insertion dans <strong>les</strong> équipement, cette jonction est « habillée », c’est à direqu’elle est insérée dans un boîtier <strong>pour</strong> se présenter sous forme <strong>de</strong> composant maniable.2.3 SymboleAno<strong>de</strong>iUdCatho<strong>de</strong>2.4 Caractéristique <strong>de</strong> transfert courant tension idéaleLa dio<strong>de</strong> se comporte « idéalement » comme un interrupteur ouvert ou fermé. Sa caractéristique<strong>de</strong> transfert idéale est donc la suivante :iDio<strong>de</strong> idéale :- Dans le sens passant, la dio<strong>de</strong> idéale est parfaitement conductrice,sa résistance directe (statique ou dynamique) est nulle, la chute <strong>de</strong>tension à ces bornes qu’elle produit est nulle aussi.Ud=> on peut dire que dans le sens passant, une dio<strong>de</strong> idéale estéquivalente à un interrupteur fermé.Dans le sens inverse, la dio<strong>de</strong> idéale est parfaitement isolante, sarésistance inverse est infinie, le courant qui la traverse est nul.=> on peut dire que dans le sens inverse, une dio<strong>de</strong> idéale estéquivalente à un interrupteur ouvert.<strong>Les</strong> <strong>dispositifs</strong> <strong>de</strong> <strong>commutation</strong> - page 1Lycée LACHENAL - M. BERNARD - édité le 09/09/2008


2.5 Caractéristique <strong>de</strong> transfert courant tension réelleiQuand la tension aux bornes <strong>de</strong> dio<strong>de</strong> est négative (ou inverse) lecourant peut être négligé et la caractéristique situé à gauche du zéroest confondue avec l’axe <strong>de</strong>s tensions : la dio<strong>de</strong> est pratiquementidéale.U seuil<strong>Les</strong> <strong>dispositifs</strong> <strong>de</strong> <strong>commutation</strong> - page 2UdQuand la tension aux bornes <strong>de</strong> dio<strong>de</strong> est positive (ou directe),le courant peut être négligé tant que U d est inférieure à U seuil et, <strong>pour</strong>U d supérieur à U seuil , la portion <strong>de</strong> courbe peut être assimilé à une droite.Remarque importante : la chute <strong>de</strong> tension aux bornes <strong>de</strong> la dio<strong>de</strong> (sens direct) lorsque cette <strong>de</strong>rnièreest passante [U d≈ U seuil ] est à peu près égale à 0.6V (dio<strong>de</strong> silicium). Dans la plupart <strong>de</strong>s usagesindustriels, cette chute <strong>de</strong> tension peut être négligée <strong>de</strong>vant la tension principale; la dio<strong>de</strong> estalors assimilée à une dio<strong>de</strong> idéale.2.6 Condition <strong>de</strong> blocage et <strong>de</strong> conduction d’une dio<strong>de</strong>La dio<strong>de</strong> se met à conduire lorsque la ddp Ud tend à <strong>de</strong>venir supérieure à VseuilVd ≥ Vseuil (condition <strong>de</strong> mise en conduction)La dio<strong>de</strong> se bloque lorsque le courant « direct » Id la traversant tend à <strong>de</strong>venir négativeId ≤ 0 (condition <strong>de</strong> blocage)2.7 Limites d’utilisationCes limites sont fixées par le fabricant.Tension inverse <strong>de</strong> pointe répétitive (V RRM ) : valeur maximale instantanée <strong>de</strong> la ddp inverse.(Actuellement, <strong>pour</strong> certaines dio<strong>de</strong>s, la valeur peut atteindre 2000V)Tension inverse <strong>de</strong> service (V RM ) : c’est la valeur précé<strong>de</strong>nte divisée par un coefficient <strong>de</strong> sécuritéK auquel on donne souvent la valeur 2.Courant inverse (I R ) : c’est la valeur instantanée maximale qui, <strong>pour</strong> la ddp VRRM, correspond àla température maximale <strong>de</strong> jonction (température maxi avant <strong>de</strong>struction <strong>de</strong> la jonction). Ce courantpeut atteindre quelques mA.Courant direct moyen maximal (I FRM ) : c’est le maximum admissible <strong>pour</strong> la valeur moyennedu courant direct. Cette valeur est calculé sur une pério<strong>de</strong> avec un redressement monophasé simplealternance sur charge résistive.(Actuellement, <strong>pour</strong> certaines dio<strong>de</strong>s, la valeur peut atteindre 2000A)Courant direct moyen <strong>de</strong> service (I F ) : c’est la valeur précé<strong>de</strong>nte divisée par un coefficient <strong>de</strong>sécurité (2).Température maximale <strong>de</strong> jonction : <strong>pour</strong> une dio<strong>de</strong> au silicium, elle est <strong>de</strong> 200°C. Si <strong>les</strong>maxima précé<strong>de</strong>nts sont respectés, la température maximale l’est également avec <strong>les</strong> <strong>de</strong>ux réservessuivantes :- la température ambiante ne doit pas excé<strong>de</strong>r 25°C- la dio<strong>de</strong> doit être montée sur un radiateur ventilé.Si ces <strong>de</strong>ux <strong>de</strong>rnières conditions ne sont pas réalisées, il faudra réduire I F <strong>pour</strong> limiter l’échauffement.Exemple : Rechercher sur une documentation constructeur ces valeurs.Lycée LACHENAL - M. BERNARD - édité le 09/09/2008


2.8 Application – Fonction « redressement »La fonction redressement consiste à transformer une tension bidirectionnelle en une tension unidirectionnelle.Remarque sur <strong>les</strong> tracés : <strong>les</strong> tracés <strong>de</strong>s signaux en sortie Us sont effectué en considérant que <strong>les</strong>entrées Ue et Ue’ sont <strong>de</strong>s sinusoï<strong>de</strong>s <strong>de</strong> valeur moyenne nulle et d’amplitu<strong>de</strong> A.A. REDRESSEMENT SUR CHARGE RESI<strong>STI</strong>VERedressement mono-alternanceU SU eDU SRtRedressement double-alternance avec transformateur à point milieuU SU eDU SRtU e’ D’Redressement double-alternance en pont <strong>de</strong> Gretz~U SU e-~+U RRtB. REDRESSEMENT SUR CHARGE CAPACITIVEU e~U SRMono-alternanceRedresseurDouble-alternanceU SU Stt<strong>Les</strong> <strong>dispositifs</strong> <strong>de</strong> <strong>commutation</strong> - page 3Lycée LACHENAL - M. BERNARD - édité le 09/09/2008


2.9 Dio<strong>de</strong>s à usages spécifiques :A. Dio<strong>de</strong> ZenerCes dio<strong>de</strong>s sont aussi appelés dio<strong>de</strong>s <strong>de</strong> régulation et d'écrêtage. El<strong>les</strong> servent à obtenir à leursbornes une d.d.p constante (régulée) en utilisant la zone dite d’avalanche (ou <strong>de</strong> Zener) <strong>de</strong> leurcaractéristique. On utilise ce type <strong>de</strong> dio<strong>de</strong> <strong>pour</strong> créer <strong>de</strong>s sources <strong>de</strong> tension constanteiU ZenerAno<strong>de</strong>i zCatho<strong>de</strong>Zone <strong>de</strong>zenerU seuilUdUzExemple <strong>de</strong> source <strong>de</strong> tension constante (utilisant une dio<strong>de</strong> Zener) :R pi gi cED zi zU ZR cRemarque : Pour fonctionner en dio<strong>de</strong> <strong>de</strong> régulation, la dio<strong>de</strong> zener doit être branché« en sens inverse » <strong>de</strong> la tension d’alimentation. C’est à dire dans le sens où une dio<strong>de</strong>« normale » ne conduirait pas.B. Dio<strong>de</strong> à variation <strong>de</strong> capacité (VARICAP)Lors <strong>de</strong> son utilisation, la dio<strong>de</strong> varicap (terme qui est une abréviation <strong>de</strong> l'anglais variable capacity)est polarisée en inverse (sens bloqué), elle fonctionne alors comme un con<strong>de</strong>nsateur dont lacapacité est ajustable en fonction <strong>de</strong> la tension (négative) appliquée sur la dio<strong>de</strong>.Ces dio<strong>de</strong>s sont utilisées chaque fois que l’on a besoind’avoir une variation <strong>de</strong> capacité provoqué par une variation<strong>de</strong> tension.i DAno<strong>de</strong>Catho<strong>de</strong>El<strong>les</strong> sont principalement utilisées dans <strong>les</strong> récepteursUDradio. <strong>Les</strong> oscillateurs <strong>de</strong> fréquence commandés en tension(VCO)3. Le transistor bipolaire3.1 <strong>Des</strong>criptionUn transistor comporte trois connexions : l’émetteur e, la base bet le collecteur c.On distingue <strong>de</strong>ux types <strong>de</strong> transistor :• Le transistor <strong>de</strong> type NPN dans lequel la base est une zone <strong>de</strong>type P.• Le transistor <strong>de</strong> type PNP dans lequel la base est <strong>de</strong> type N.Ils sont réalisés par dopage d’un semi-conducteur (germanium ousilicium) <strong>de</strong> façon à former <strong>de</strong>ux jonctions P-N dont <strong>les</strong> sens passantssont opposés.• La flèche sur le symbole indique l’émetteur et son orientationnous indique son type.Symbo<strong>les</strong>Transistor NPNbceTransistor PNPbcecollecteurNbase PNémetteurcollecteurPbase NPémetteur<strong>Les</strong> <strong>dispositifs</strong> <strong>de</strong> <strong>commutation</strong> - page 4Lycée LACHENAL - M. BERNARD - édité le 09/09/2008


3.2 Mo<strong>de</strong>s <strong>de</strong> fonctionnementLe transistor est un semi-conducteur contrôlable,on distingue <strong>de</strong>ux types <strong>de</strong> fonctionnement :• un fonctionnement bloqué-saturé (tout ou rien).• un fonctionnement en amplification <strong>de</strong> courant(fonctionnement linéaire).En fonctionnement bloqué - saturé :le transistor peut avoir <strong>de</strong>ux états.• Transistor bloquéIb=0 ; Ic=0Conventions <strong>de</strong> fléchageIcVcbIbVceVbeIeMontage émetteur commun• Transistor saturéIc est constant quel que soit Ib.RcEn fonctionnement linéaire :le transistor est passant :IcU• Ic est proportionnel à Ib , le coefficient <strong>de</strong> proportionnalité,noté β, est appellé coefficientd’amplification en courant.VRbIbVbeIc= β . Ib3.3 Caractéristiques <strong>de</strong> transfert• Le réseau <strong>de</strong> caractéristiques est l’ensemble<strong>de</strong>s courbes traduisant <strong>les</strong> relations entre <strong>les</strong>gran<strong>de</strong>urs Vbe ; Ib; Vce ; Ic.• Caractéristique d’entrée :C’est la courbe Vbe= f(Ib) lorsque Vce est maintenuconstant. Cette caractéristique est pratiquementcelle d’une dio<strong>de</strong> polarisée en direct. Vbe est<strong>de</strong> l’ordre <strong>de</strong> 0.7 V lorsqu’un transistor au siliciumconduit.• Caractéristique <strong>de</strong> sortie :C’est la courbe Ic= f(Vce) lorsque Ib est constant. Dans un transistor idéal, ces courbes sont <strong>de</strong>sdroites horizonta<strong>les</strong> puisque Ic ne dépend que <strong>de</strong> Ib (Ic= β . Ib).• Caractéristique <strong>de</strong> transfert en courant :C’est la courbe Ic= f(Ib) lorsque Vce est constant.Cette caractéristique est une droite passant par l’origine qui traduit la proportionnalité entre Ic etIb.3.4 Point <strong>de</strong> fonctionnementRéseau <strong>de</strong> caractéristiquesorganisation <strong>de</strong> la représentation (courbes idéalisée)Caractéristique <strong>de</strong> transfertIc= f(Ib)(droite représentant• Le point <strong>de</strong> fonctionnement d’un transistor est caractérisée par la donnée <strong>de</strong>s quatres valeursVbe, Ib, Vce, Ic.Il est représenté sur le réseau <strong>de</strong> caractéristique par <strong>les</strong> points P1, P2, P3..IbP2P1Caractéristique d’entréeIb= f(Vbe)(équivalent à une dio<strong>de</strong>)IcV CE sat ≈0VbeCaractéristique représentantI c <strong>pour</strong> différents I B )P3VceCaractéristiques<strong>de</strong> sortieIc= f(Vce)<strong>Les</strong> <strong>dispositifs</strong> <strong>de</strong> <strong>commutation</strong> - page 5Lycée LACHENAL - M. BERNARD - édité le 09/09/2008


3.5 Exemp<strong>les</strong> d’application <strong>de</strong> transistor en <strong>commutation</strong>Voir figures 1a, 1b, 2a, 2b page suivante.Fonction NONTransistor NPNVs = VeFigure 1.a3.6 Exemp<strong>les</strong> d’application <strong>de</strong> transistor en amplification(<strong>de</strong> courant)Voir figures 3, 4, 5.VeRbIcIbVbeRcVsUFigure 3Source <strong>de</strong> tension constanteVeRcVzVsFonction NONTransistor PNPVs = VeRbIbFigure 1.bVeUFigure 4RcVsSource <strong>de</strong> courant constantRLUComman<strong>de</strong> d’un relaisTransistor NPNFigure 2.aTransistor PNPFigure 2.bI cteRcRzKMURbIbUVeIcRbIbVVbeKMMontage émetteur communFigure 5RcIcURbIbVVbe<strong>Les</strong> <strong>dispositifs</strong> <strong>de</strong> <strong>commutation</strong> - page 6Lycée LACHENAL - M. BERNARD - édité le 09/09/2008

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