Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

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Chapitre II : circuits analogiques élémentairesI C est le courant X provenant de l'intégration du courant de la conductance Ca.Enfin c'est le courant I 0 qui servait jusqu'à présent à la normalisation qui nous permet deréaliser la division nécessaire. C'est la somme d'une image du courant X et du courantCacst provenant d'une paire entrecroisée.L'implémentation électronique ne fait donc pas intervenir directement la concentrationBX ,Acalcique, mais un terme proportionnel X. Avec les changements de variable CaACacst K et en prenant Ca 0 0 , ces équations sont équivalentes au modèle théoriqueB(La partie + LCaV memde la dépendance n'étant pas utilisée).4.2.4. Synapse.Les synapses répondent à l'expression suivante :Isynapsesynmempostsyn g .m. V E(2.41)La particularité tient dans la présence de deux entrées V mempré et V mempost , qui correspondentaux tensions présynaptique et postsynaptique.La fonction asymptotique m de la variable d'état d'activation dépend de V mempré et le produitde sortie utilise la tension V mempost . La gamme degsyncorrespond au rapport x2 des miroirs.4.3.Relations d'étalonnage pour les différents paramètres.Les simulations des différentes conductances ioniques présentées au paragraphe précédentpermettent d'obtenir les relations théoriques entre les grandeurs "électriques" du circuit et lesgrandeurs "biologiques" des équations. Elles nous permettront d'évaluer les valeurs destensions à appliquer à nos circuits selon les paramètres des modèles mathématiques deneurones.Sigmoïde.Rappelons que l'équation d'une sigmoïde est de la forme :fVmem1 V1 exp VPentememseuil81
Chapitre II : circuits analogiques élémentairesCette fonction comporte deux paramètres, V seuil et Pente. V seuil est directement la tensionappliquée au circuit et Pente est lié à la tension V pente par la relation (2.23).900800Paramètre Pente (mV)3,53Pente maximale 1/4Pente (V -1 )7006002,550024001,5A)300200100V'pente (V)00,9 1,1 1,3 1,5 1,7 1,9 2,1 2,3 2,5B)10,5V'pente (V)00,9 1,1 1,3 1,5 1,7 1,9 2,1 2,3 2,5Figure 2-26 : évolution en fonction de la tension de réglage V pente du circuit de sigmoïde de A)la valeur du paramètre Pente et B) de la pente arithmétique de la sigmoïde1f V mem V mem V seuil4.Pentegion.19Gmax (S)Gmax Na1494Gmax CaGmax fuite-1Vgm (V)2,0 2,5 3,0 3,5 4,0Figure 2-27 : valeurs maximales giondu courant des conductances ioniques pour les troisgains X1, X2 et X18 en fonction de la tension de réglage du paramètre du circuit.type de conductance ionique gain S/V) g ion max (S)Na et K 17,10 19,29Ca, K(Ca) et synapse 1,79 2,03Compensation, stimulation etconductance de fuite0,98 1,1Tableau 2-5 : pente de la partie linéaire de la plage d'ajustement et valeur de saturation degion.82
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RésuméCircuits et systèmes de mo
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