Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

Chapitre II : circuits analogiques élémentaires4.2.Détails des différentes conductances ioniques implémentées.Les différents conductances ioniques dont nous avons besoin ont des expressions ou desgammes de paramètres différentes, il est donc nécessaire de les individualiser au niveau deleur implémentation. Cette contrainte est un des exemples de limitations des simulateursanalogiques par rapport à une réalisation numérique : le formalisme est partiellement figé à lafabrication.4.2.1. Sodium Na et potassium K.Leurs expressions correspondent au modèle initial de Hodgkin et Huxley.INaI gNa3.m .h. Vmem ENa4K gK.n. Vmem EK(2.34)Pour ces conductances, la gamme degioncorrespond au rapport x18 des miroirs.4.2.2. Courants de fuite, stimulation et compensation.Pour le courant de fuite la conductance est constante, elle n'est pas modulée par des fonctionsd'activation ou d'inactivation. L'implémentation est ainsi simplifiée, elle ne comporte qu'unmultiplieur "beta-immune" multipliant un courant unipolaire qui représenteg ionavec lecourant différentiel provenant de la conversion des V mem -E fuite par une paire entrecroisée :Ifuitefuitememfuite g . V E(2.35)Avec la même structure nous réalisons des convertisseurs tension-courant. Nous utilisonsgfuitepour fixer le rapport de conversion, le paramètre E fuite est supprimé, son entrée est fixéeau point milieu des alimentations et V mem devient l'entrée du convertisseur.Deux types de convertisseurs sont utilisés permettant de stimuler une cellule par injection decourant. Le premier sert à injecter un courant constant dont la valeur est ajustable par latension appliquée à l'entrée qui est donc un paramètre de ce bloc. Le second a son entrée reliéeà une broche externe et permet ainsi d'injecter un courant de forme quelconque.Pour ces trois éléments la gamme degfuitecorrespond au rapport x1 des miroirs.79