Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

Chapitre II : circuits analogiques élémentairesparait acquis que l'augmentation du courant observée provient plutôt des diminutionsd'oxydes qu'induisaient leurs structures [DIORIO 95].d'autre part, il est démontré que l'interface polysilicium/oxyde présente un grande nombred'aspérités qui renforce le champ et permet d'obtenir un courant tunnel à des tensions plusfaibles que ne le prédit la théorie. La formation de ces aspérités est provoquée pour lesprocédés spécifiques, mais elle est naturellement présente pour les procédés standard[ELLIS 82], [ANDERSON 97]. Nous bénéficions de ce phénomène, mais comme il estproduit par la croissance thermique de SiO 2 il n'apparaît que d'un côté de l'oxyde et produitune dissymétrie de l'effet tunnel.Bien que l'effet tunnel soit par nature bidirectionnel, l'utilisation de cette propriété s'avèredélicate. Pour arracher des électrons à l'armature flottante, il suffit d'appliquer une tensionpositive sur la seconde armature. Par contre pour injecter des électrons sur la grille flottante ilfaut soit appliquer une tension négative sur cette même seconde armature (figure 2-24-A), soitforcer une tension positive sur la grille flottante elle-même (figure 2-24-B).A) B)transistor de mesuregrille flottantegndC 1+VpV tunnel >0extraction d'électrons+VpC 2 0C 1 +C 2 +C p+Vp-VpgndV tunnel