Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

Chapitre II : circuits analogiques élémentairesE CEχ= 0,9 eVNVEφ=4,3 eVEχ= 4,1 eVE FE g = 9 eVE g = 1,1 eVE CE VE VMétal AlIsolant SiO 2SiliciumFigure 2-19 : grandeurs caractéristiques des hétérojonctions Al-SiO 2 et SiO 2 -Si. La barrièrede potentiel à l'interface SiO 2 -Si vaut : E Si - E SiO2 = 4,1 - 0,9 = 3,2 eV pour les électrons etE gSiO2 + E SiO2 - (E gSi + E Si ) = 9 +0,9 -4,1 -1,1 = 4,7 eV pour les trous.3.6.2.1. Mise en conduction de l'isolant par un faisceau UV.Cette première méthode n'est citée que par souci d'exhaustivité. Elle consiste à apportersuffisamment d'énergie aux porteurs par excitation photoélectrique pour qu'ils puissentsurmonter la barrière de potentiel que leur oppose l'isolant. Dans ces conditions, l'isolant secomporte comme un conducteur dont la conductivité est pratiquement constante en fonctionde la tension appliquée mais reste de très faible valeur.La nécessité d'utiliser une source lumineuse externe n'est pas compatible avec nos contraintes.Rappelons que nous souhaitons concevoir un dispositif intégré. Le lecteur intéressé pourra sereporter à [ABUSLAND 93] et [KERNS 91].hυE CE CE VE VSiliciumIsolant SiO 2SiliciumFigure 2-20 : mise en conduction par excitation photoélectrique, l'énergie h du faisceau créedes paires électron-trou, les électrons ont une énergie suffisante pour surmonter la barrièrede la jonction.70