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Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

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Chapitre II : circuits <strong>analogique</strong>s élémentaires Les con<strong>de</strong>nsateurs sont chargés <strong>de</strong> façon incrémentale par une boucle <strong>de</strong> rétroaction dontla fonction <strong>de</strong> transfert implémente en fait l'algorithme d'apprentissage. La valeur absoluemémorisée reste inconnue [MONTALVO 97]. A mi-chemin entre ces <strong>de</strong>ux métho<strong>de</strong>s, une valeur initiale est fournie par un convertisseurnumérique-<strong>analogique</strong>, puis un dispositif échantillonne en boucle les valeurs mémoriséespour les rafraîchir à la valeur discrète la plus proche. Avec c<strong>et</strong>te technique la mémoirenumérique <strong>de</strong>vient inutile <strong>et</strong> les mémoires <strong>analogique</strong>s gar<strong>de</strong>nt un accès en lecture <strong>et</strong> enécriture sous forme numérique [MANN 88], [CAUWENBERGHS 96], [MURRAY 89].Nous présenterons l'approche que nous avons choisie <strong>de</strong> suivre au chapitre suivant.3.6.2. Métho<strong>de</strong> non-volatile : mémoire à grille flottante.Le principe utilisé est simple, là encore la valeur à mémoriser est stockée sous forme <strong>de</strong>charges électriques mais, pour supprimer tout courant <strong>de</strong> fuite, l'armature qui porte cescharges est entièrement noyée dans un isolant. Elle constitue la grille d'un transistor MOS quiservira à la "lecture" <strong>de</strong> la mémoire en mesurant la charge stockée, d'où l'appellation <strong>de</strong> "grilleflottante". La charge piégée ne pouvant normalement pas varier, même lors d'une coupured'alimentation électrique, elle peut servir à mémoriser une information <strong>de</strong> façon permanente :la mémorisation est dite non-volatile <strong>et</strong> le rafraîchissement <strong>de</strong>vient inutile.Initialement, ce principe a été utilisé pour la fabrication <strong>de</strong> mémoires numériques. La première<strong>de</strong>scription d'un tel dispositif est attribuée à Kahng <strong>et</strong> Sze en 1967 [KAHNG 67]. Lespremières EPROM (Electrically Programmable Read Only Memory) sont commercialisées<strong>de</strong>puis 1971 par la société Intel : seule l'écriture est réalisée électriquement, l'effacement sefait par exposition à un faisceau ultraviol<strong>et</strong> (UV). Il faut attendre 1977 pour voir apparaître <strong>de</strong>smémoires effaçables électriquement. Actuellement les produits <strong>de</strong> ce type sont omniprésentsau sein <strong>de</strong> nos appareils ménagers.D'autres dispositifs non-volatils existent, nous ne les avons pas considérés car, à l'inverse <strong>de</strong>smémoires à grille flottante, ils ne sont pas réalisables avec <strong>de</strong>s technologies standard. Parexemple les mémoires MNOS (M<strong>et</strong>al-Nitri<strong>de</strong>-Oxi<strong>de</strong>) stockent les charges dans les piéges quiapparaissent à l'interface entre <strong>de</strong>ux isolants. Pour une <strong>de</strong>scription <strong>et</strong> un historique compl<strong>et</strong> lelecteur pourra consulter l'ouvrage Semiconductor memories – 2 nd edition [PRINCE 91] oul'article <strong>de</strong> synthèse [MURRAY 98].68

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