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Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

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Chapitre II : circuits <strong>analogique</strong>s élémentairesOutres ces erreurs <strong>de</strong> décalage, d'autres éléments doivent être considérés : Plage <strong>de</strong> conduction :le transistor canal N reste bloqué pour un signal d'entrée V ref d'amplitu<strong>de</strong> supérieure àV DD -V Tn , la plage <strong>de</strong> tension mémorisable sur le con<strong>de</strong>nsateur est donc [0, V DD -V Tn ].Symétriquement si l'on utilise un transistor canal P, la plage est <strong>de</strong> [V Tp , V DD ]. Fréquence <strong>de</strong> fonctionnement :en considérant en première approximation l'interrupteur fermé comme une résistance, lecircuit se comporte comme un réseau RC dont le temps d'établissement limite la fréquencemaximale <strong>de</strong> fonctionnement.Si le transistor sort <strong>de</strong> sa zone <strong>de</strong> fonctionnement ohmique, il apparaît alors comme ungénérateur <strong>de</strong> courant constant <strong>et</strong> la vitesse <strong>de</strong> charge <strong>de</strong> C mem , donc la fréquence <strong>de</strong>fonctionnement, est <strong>de</strong> nouveau limitée. Temps <strong>de</strong> maintien :quand le transistor est bloqué, interrupteur ouvert, la valeur <strong>de</strong> la résistance équivalentequ'il présente au con<strong>de</strong>nsateur C mem est très élevée (> GOhm). En fait le con<strong>de</strong>nsateur sedécharge en raison du courant <strong>de</strong> fuite <strong>de</strong> la jonction bipolaire polarisée en inverse dudrain. C<strong>et</strong>te décharge <strong>et</strong> la valeur du con<strong>de</strong>nsateur fixent la limite maximale du temps <strong>de</strong>maintien pour une précision donnée. Avec <strong>de</strong>s courants <strong>de</strong> fuites typiques <strong>de</strong> l'ordre <strong>de</strong>1 pA, la décharge d'un con<strong>de</strong>nsateur <strong>de</strong> 1 pF est <strong>de</strong> 1 V/s. Ces courants impliquentl'utilisation d'un mécanisme <strong>de</strong> "rafraîchissement" qui vient régulièrement recharger lecon<strong>de</strong>nsateur.La conception d'un échantillonneur-bloqueur doit prendre en compte ces différentsparamètres, mais pour l'utiliser comme mémoire <strong>analogique</strong>, nous <strong>de</strong>vons avant tout choisirun schéma électrique pour son implémentation ainsi qu'une stratégie <strong>de</strong> rafraîchissement.Le nombre important <strong>de</strong> mémoires dont nous avons besoin nous contraint à utiliser un schémaminimal sans dispositif <strong>de</strong> compensation complexe <strong>de</strong> l'injection <strong>de</strong> charge.Nous avons relevé plusieurs approches pour la métho<strong>de</strong> <strong>de</strong> rafraîchissement : Les valeurs sont rafraîchies en boucle à l'ai<strong>de</strong> d'une mémoire numérique <strong>et</strong> d'unconvertisseur numérique-<strong>analogique</strong> [SATYANARAYANA 92].67

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