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Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

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Chapitre II : circuits <strong>analogique</strong>s élémentaires3.6.1. Métho<strong>de</strong> dynamique : échantillonneur-bloqueur.Le principe est d'utiliser un con<strong>de</strong>nsateur pour stocker une charge représentant la valeur<strong>analogique</strong> à mémoriser. La valeur désirée est appliquée par l'intermédiaire d'un interrupteur<strong>analogique</strong>. La circuit réalisé est en fait un élément classique <strong>de</strong> la microélectronique : c'est unéchantillonneur-bloqueur.Le schéma le plus simple pour réaliser ce sous-bloc utilise un transistor MOS commeinterrupteur. Malheureusement <strong>de</strong>ux phénomènes induisent une perturbation <strong>de</strong> la valeur d<strong>et</strong>ension mémorisée sur le con<strong>de</strong>nsateur par injection <strong>de</strong> charge lors du blocage du transistor[WEGMANN 87], [WILSON 85].A) V GB) V GV e -ref V CV refC memC memCon<strong>de</strong>nsateur parasite<strong>de</strong> recouvrementV CFigure 2-17 : injections <strong>de</strong> charges dues au transistor MOS <strong>de</strong> dimensions W, L. A)réarrangement <strong>de</strong>s charges formant le canal lors du blocage du transistor. B) Couplagecapacitif du signal <strong>de</strong> comman<strong>de</strong>.Ces perturbations sont illustrées par la figure précé<strong>de</strong>nte :Réarrangement <strong>de</strong>s charges du canal.Les charges formant le canal du transistor pendant la conduction sont redistribuées versses source <strong>et</strong> drain. Dans le cas d'un NMOS ces charges sont négatives, elles produisentdonc une variation <strong>de</strong> tension négative sur le con<strong>de</strong>nsateur <strong>de</strong> mémorisation C mem .La répartition <strong>de</strong> ces charges <strong>de</strong> part <strong>et</strong> d'autre du canal, <strong>et</strong> donc la partie injectée dans lecon<strong>de</strong>nsateur C mem , dépend du rapport entre les capacités situées <strong>de</strong> chaque côté <strong>de</strong>l'interrupteur <strong>et</strong> d'un facteur intermédiaire B défini <strong>de</strong> la façon suivante :0CWoxB VDD VTeL(2.29)aCmemavec :- V DD niveau logique haut,- V Te seuil effectif qui dépend linéairement <strong>de</strong> V ref en raison <strong>de</strong> l'eff<strong>et</strong> substrat,- a valeur absolue <strong>de</strong> la pente <strong>de</strong> V G pendant la commutation.65

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