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Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

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Chapitre II : circuits <strong>analogique</strong>s élémentairesl'étu<strong>de</strong> <strong>de</strong>s différentes possibilités est, par exemple, l'article <strong>de</strong> synthèse <strong>de</strong> G. HAN [HAN 98]qui les classifie en huit types distincts <strong>et</strong> énumère un grand nombre <strong>de</strong> références. Un <strong>de</strong>sproblèmes majeurs <strong>de</strong> ces implémentations reste la déviation <strong>de</strong> la relation quadratique idéaleI D =f(V GS ) du transistor MOS <strong>de</strong> faible taille en comparaison à l'extrême précision <strong>de</strong> larelation exponentielle I c =f(V be ) du transistor bipolaire.A l'emploi <strong>de</strong> transistor MOS, nous avons donc préféré l'utilisation <strong>de</strong>s boucles translinéairesbipolaires plus précises [GILBERT 90]. Nous utilisons <strong>de</strong>ux types <strong>de</strong> multiplieurs décrits parc<strong>et</strong> auteur.3.3.1. Multiplieur "b<strong>et</strong>a-immune".I 1 I 3 I 4 I 2Q 1 Q 3 Q 4 Q 2I AFigure 2-7 : multiplieur <strong>de</strong> type "b<strong>et</strong>a-immune" [TOUMAZOU 90].Les transistors Q 1 à Q 4 forment une boucle translinéaire, la somme <strong>de</strong> leurs tensions V BE estnulle :VBE1 V V V 0(2.7)BE3La caractéristique d'un transistor bipolaire npn exprimant le courant <strong>de</strong> collecteur Ic enfonction <strong>de</strong> la tension <strong>de</strong> comman<strong>de</strong> V BE est :BE4BE2I IC Isat Vexp UBET I VBE UTln(2.8) Isat 55

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