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Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

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Chapitre II : circuits <strong>analogique</strong>s élémentairesReste encore un problème, la disponibilité du modèle étant nécessaire mais pas suffisante. Ilest en eff<strong>et</strong> tout aussi indispensable que le fon<strong>de</strong>ur ait réalisé les mesures servant à l'extraction<strong>de</strong>s paramètres <strong>de</strong> la conduction sous le seuil <strong>et</strong> qu'il les ait fournis pour que le modèle soitutilisable !Notons enfin la très forte dispersion dont souffrent les paramètres spécifiques <strong>de</strong> la conductionWsous le seuil, c'est-à-dire, dans l'expression (2.1), l'équivalent du courant <strong>de</strong> saturation k x.L<strong>et</strong> le paramètre <strong>de</strong> pente n [FORTI 94], [PAVASOVIC 94], [CHEN 96]. L'origine <strong>de</strong> cesdispersions est encore mal comprise <strong>et</strong> elles ne sont donc pas contrôlées par les fon<strong>de</strong>urs. Acela rajoutons la modulation du courant par le potentiel <strong>de</strong> substrat qu'il faudraimpérativement prendre en compte, par exemple en utilisant <strong>de</strong>s transistors dans <strong>de</strong>s puitsisolés.C<strong>et</strong> état <strong>de</strong> fait implique <strong>de</strong>s mesures très conservatrices lors <strong>de</strong> la conception <strong>de</strong> circuits,notamment par l'emploi <strong>de</strong> MOS <strong>de</strong> gran<strong>de</strong> dimension ou l'usage systématique <strong>de</strong> circuitsutilisant <strong>de</strong>s rapports <strong>de</strong> courant [VITTOZ 77].En conclusion la substitution <strong>de</strong> transistors MOS polarisés sous le seuil aux transistorsbipolaires perm<strong>et</strong> l'utilisation d'une technologie CMOS standard <strong>et</strong> autorise une conceptiontrès faible consommation. Il faudra cependant bien évaluer les modèles <strong>et</strong> paramètresdisponibles, éventuellement en faisant <strong>de</strong>s mesures comparatives avec <strong>de</strong>s structures <strong>de</strong> tests,<strong>et</strong> ne pas oublier que l'emploi indispensable <strong>de</strong> transistors <strong>de</strong> taille non-minimale se traduit parune augmentation pénalisante <strong>de</strong> la surface <strong>de</strong> silicium.Nous n'avons pas r<strong>et</strong>enu ce principe pour les travaux que nous présentons dans ce manuscrit,mais notre groupe l'a néanmoins évalué. L'étu<strong>de</strong> a été réalisée par Ludovic Alvado dans lecadre <strong>de</strong> son stage <strong>de</strong> DEA [ALVADO 99] <strong>et</strong> ses résultats sont en cours d'exploitation c<strong>et</strong>tefois dans le cadre <strong>de</strong> ses travaux <strong>de</strong> thèse <strong>de</strong> doctorat.3. OPERATEURS ET FONCTIONS DE BASE.Le formalisme <strong>de</strong> Hodgkin <strong>et</strong> Huxley tel que nous l'avons décrit au chapitre précé<strong>de</strong>nt(équations 1.3 à 1.7) comporte un certain nombre d'opérations élémentaires communes àchaque conductance ionique. Nous pouvons détailler :Addition <strong>et</strong> multiplication : elles apparaissent à plusieurs reprises. Les termes <strong>de</strong> type"puissance" sont aussi <strong>de</strong>s multiplications.49

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