Circuits et systemes de modelisation analogique de neurones ...

Chapitre II : circuits analogiques élémentaires2.3.Outils logiciels et modèles de simulations.2.3.1. Suite logiciel Cadence.Nous l'avons dit, en microélectronique un environnement logiciel puissant est indispensable.Le laboratoire IXL est équipé de la suite fabriquée par la société californienne Cadence[CADENCE].Pour information nous citons les modules suivants : Simulateurs analogiques : spectreS, simulateur standard de Cadence, compatible spice.Nous disposons aussi des simulateurs hspice et eldo. AMS fournit les paramètres demodèles pour chacun de ces simulateurs. Simulateur numérique : verilog, AMS fournit des bibliothèques numériques CMOS etBiCMOS avec des paramètres verilog pour des alimentations 5V ou 3,3V.L'environnement Cadence permet aussi de partitionner un schéma et de faire dessimulations mixtes spectreS-verilog.D'autres outils ont été utilisés ponctuellement, par exemple pour la synthèse numérique et leroutage automatique des séquenceurs et autres circuits numériques inclus dans certains de nosprojets.2.3.2. A propos du choix des modèles, illustration du transistor MOS sous le seuil.La simulation de circuits intégrés analogiques implique l'utilisation de modèles adaptés.Comme la technologie que nous utilisons est spécifiquement destinée à la conceptionanalogique, AMS fournit les paramètres pour ce type de modèles. La modélisation enmicroélectronique est cependant un travail toujours en cours et la compréhension des modèleset de leurs paramètres reste de première importance.Les transistors bipolaires sont peu concernés par ces changements, ils sont modélisés par leurséquations théoriques classiques de Gummel-Poon et les nouveaux modèles (comme parexemple le VBIC) sont plutôt destinés à améliorer les performances pour les applicationshaute fréquence. Comme nous travaillons à des fréquences inférieures à 100 kHz, ces apportsne nous concernent pas.En comparaison, les modèles de transistors MOS ont bénéficiés de changements beaucoupplus importants. La tendance à la diminution des dimensions des MOS et la baisse des46